[发明专利]半导体设备的反应腔室及半导体设备

权利要求书

1.一种半导体设备的反应腔室，其特征在于，包括腔室本体（100）以及自上而下设置的静电卡盘（200）、补偿电压检测装置和下电极（420）；

所述腔室本体（100）具有反应腔（101），所述静电卡盘（200）、所述下电极（420）和所述补偿电压检测装置均设置于所述反应腔（101）内，所述静电卡盘（200）用于支撑晶圆（500）；

所述补偿电压检测装置的一端贯穿所述静电卡盘（200），且与所述晶圆（500）接触且电连接，所述补偿电压检测装置的另一端与所述下电极（420）电连接，所述补偿电压检测装置用于测量所述晶圆（500）的电压，以及根据检测到的所述晶圆（500）的电压补偿所述静电卡盘（200）的吸附电压；

所述补偿电压检测装置包括电触杆（310）、测压器件（320）和驱动件；所述测压器件（320）用于测量所述晶圆（500）的电压，并将所述晶圆（500）的电压反馈至所述下电极（420），所述电触杆（310）的第一端可与所述晶圆（500）电接触，所述电触杆（310）的第二端与所述测压器件（320）电连接，所述测压器件（320）与所述下电极（420）电连接，所述驱动件驱动所述电触杆（310）移动，以使所述电触杆（310）与所述晶圆（500）接触或分离。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述静电卡盘（200）开设有第一穿孔，所述电触杆（310）的第一端穿过所述第一穿孔。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述补偿电压检测装置还包括固定件（330），所述固定件（330）的一端与所述静电卡盘（200）的底面相连，所述固定件（330）开设有第二穿孔，所述第二穿孔的至少部分与所述第一穿孔相对设置，所述电触杆（310）的部分位于所述第二穿孔内，所述驱动件设置于所述固定件（330）。

4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述驱动件包括电源（341）、开关（342）、弹性件（345）、第一电磁铁（343）和第二电磁铁（344），所述第一电磁铁（343）和所述第二电磁铁（344）通过所述开关（342）与所述电源（341）电连接，所述第一电磁铁（343）与所述固定件（330）相连接，所述第二电磁铁（344）与所述测压器件（320）相连接；

所述弹性件（345）的一端与所述固定件（330）背离所述静电卡盘（200）的一端相连接，所述弹性件（345）的另一端与所述测压器件（320）相连接；

在所述开关（342）闭合的情况下，所述第一电磁铁（343）和所述第二电磁铁（344）磁吸配合，所述电触杆（310）的第一端与所述晶圆（500）相接触；在所述开关（342）断开的情况下，所述电触杆（310）与所述晶圆（500）相分离。

5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述补偿电压检测装置还包括第一绝缘件（350）和第二绝缘件（360），所述第一电磁铁（343）通过所述第一绝缘件（350）与所述固定件（330）连接；所述第二电磁铁（344）通过所述第二绝缘件（360）与所述测压器件（320）连接。

6.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述补偿电压检测装置还包括密封件，所述固定件（330）与所述静电卡盘（200）的底面相连接的一端开设有密封槽（331），所述密封槽（331）环绕设置于所述电触杆（310），所述密封件位于所述密封槽（331）内，所述固定件（330）与所述静电卡盘（200）的底面通过所述密封件密封连接。

7.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述电触杆（310）的第一端超出所述静电卡盘（200）的顶面的距离为0.5~1mm。

8.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括安装部（421），所述安装部（421）设置于所述静电卡盘（200）的底面，所述安装部（421）开设有安装孔，部分所述补偿电压检测装置位于所述安装孔内，所述安装部（421）与所述补偿电压检测装置可拆卸连接。