[发明专利]一种像素电路及其驱动方法、显示装置

说明书

一种像素电路及其驱动方法、显示装置，像素电路包括初始化子电路、写入子电路、第一发光控制子电路、第二发光控制子电路和驱动子电路，初始化子电路在第一扫描信号端控制下向第一节点和第二节点提供初始化信号端的信号；写入子电路在第二扫描信号端控制下向第三节点提供数据输入端的信号，并存储第三节点和第四节点间的电压；第一发光控制子电路在第一发光控制信号端控制下控制第四节点和第五节点导通；第二发光控制子电路在第二发光控制信号端控制下向第四节点提供第一电源电压端的信号，并控制第一节点和第三节点导通；驱动子电路在第一节点控制下对第五节点进行电压补偿，并产生驱动发光元件发光的驱动电流。本申请提高了显示图像的均匀性。

技术领域

本申请涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及其驱动方法、显示装置。

背景技术

近年来，得益于主动矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic LightEmitting Diode，AMOLED)显示器的优异显示效果，国内外AMOLED产业发展迅速。

AMOLED能够发光是由薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)在饱和状态时产生驱动电流并驱动有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)发光，OLED发光亮度和提供给OLED器件的驱动电流的大小成正比，故为了实现最佳的显示效果，需要较大的驱动电流，而低温多晶硅由于可以提供较高的电子迁移率，AMOLED显示技术中较多的选择低温多晶硅制作TFT。

在最基本的2T1C像素电路中，OLED驱动电流的大小和驱动TFT的栅源电压Vgs以及阈值电压Vth有关，而由于电源压降的存在，使得阵列基板不同位置处的驱动TFT的栅源电压Vgs不同，此外，低温多晶硅工艺不成熟，即便是同样的工艺参数，制作出的驱动TFT的阈值电压Vth也有较大的差异，使得阵列基板不同位置处的驱动TFT的Vth不同，进而会导致OLED的驱动电流大小不一样，阵列基板不同位置处的亮度也就产生差异，显示不均匀。

发明内容

本申请提供了一种像素电路及其驱动方法、显示装置，能够提高显示图像的均匀性。

本申请实施例提供了一种像素电路，包括：初始化子电路、写入子电路、第一发光控制子电路、第二发光控制子电路、驱动子电路和发光元件，其中：述初始化子电路用于在第一扫描信号端的控制下，分别向第一节点和第二节点提供初始化信号端的信号；所述写入子电路用于在第二扫描信号端的控制下，向第三节点提供数据输入端的信号，并存储第三节点和第四节点之间的电压；所述第一发光控制子电路用于在第一发光控制信号端的控制下，控制第四节点和第五节点导通；所述第二发光控制子电路用于在第二发光控制信号端的控制下，向第四节点提供第一电源电压端的信号，并控制第一节点和第三节点导通；所述驱动子电路用于在第一节点的控制下，对第五节点进行电压补偿，并在第一节点的控制下，产生驱动发光元件发光的驱动电流。

在一些可能的实现方式中，所述初始化子电路包括：第一晶体管和第二晶体管，其中：所述第一晶体管的控制极与第一扫描信号端连接，所述第一晶体管的第一极与初始化信号端连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二节点连接；所述第二晶体管的控制极与第一扫描信号端连接，所述第二晶体管的第一极与初始化信号端连接，所述第二晶体管的第二极与所述第一节点连接。

在一些可能的实现方式中，所述写入子电路包括：第三晶体管和电容，其中：所述第三晶体管的控制极与所述第二扫描信号端连接，所述第三晶体管的第一极与所述数据输入端连接，所述第三晶体管的第二极与所述第三节点连接；所述电容的一端与所述第三节点连接，所述电容的另一端与所述第四节点连接。

在一些可能的实现方式中，所述驱动子电路包括：驱动晶体管，其中：所述驱动晶体管的控制极和第一节点连接，所述驱动晶体管的第一极和第二节点连接，所述驱动晶体管的第二极与第五节点连接。