[发明专利]一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型

权利要求书

1.一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，其特征在于：包括本征NPN晶体管单元T₁(100)、寄生衬底PNP晶体管单元T₂(200)、衬底匹配网络单元、BC寄生等效电路单元、BE寄生等效电路单元，以及发射区等效电阻R_E(603)、集电区等效电阻R_C(604)和寄生基区等效电阻；

本征NPN晶体管单元T₁(100)的基极、集电极和发射极分别和第一基区端B’、第一集电区端C’以及发射极E相连；

寄生衬底PNP晶体管单元T₂(200)的基极、集电极和发射极分别和第一集电区端C’、第二衬底端S’以及第一基区端B’相连；

衬底匹配网络单元位于衬底端S和第二衬底端S’之间；

BC寄生等效电路单元由内BC寄生结电流i_jBCX1(301)、内BC寄生电容C_BCP1(302)、外BC寄生结电流i_jBCX2(303)、外BC寄生电容C_BCP2(304)、STI-BC寄生电容C_BCP3(305)组成，内BC寄生结电流i_jBCX1(301)和内BC寄生电容C_BCP1(302)并联于第一基区端B’和第一集电区端C’之间，外BC寄生结电流i_jBCX2(303)和外BC寄生电容C_BCP2(304)并联于第二基区端B”和第一集电区端C’之间，STI-BC寄生电容C_BCP3(305)位于基极端B和第一集电区端C’之间；

BE寄生等效电路单元位于第二基区端B”和发射极端E之间；

发射区等效电阻R_E(603)位于发射极端E和第一发射区端E’之间；

集电区等效电阻R_C(604)位于集电极端C和第一集电区端C’之间；

所述寄生基区等效电阻由寄生内基区等效电阻R_BP1(602)和寄生外基区等效电阻R_BP2(601)组成，寄生内基区等效电阻R_BP1(602)位于第一基区端和B’第二基区端B”之间，寄生外基区等效电阻R_BP2(601)位于第二基区端B”和基极端B之间。

2.根据权利要求1所述的一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，其特征在于：所述本征NPN晶体管单元T₁(100)由传输电流i_T(101)、BC结击穿电流i_AVL(102)、BE结复合电流i_Bhrec(103)、BC结扩散电容C_dC(104)、BE结扩散电容C_dE(105)、BC结势垒电容C_jCi(106)、BE结势垒电容C_jEi(107)、BC结电流i_jBCi(108)、BE结电流i_jBEi(109)、BE结穿通电流i_BEti(110)、发射区电流集边等效电容C_RBi(111)和本征基区电阻R_Bi(112)组成，传输电流i_T(101)位于第一集电区端C’和第一发射区端E’之间，BC结击穿电流i_AVL(102)、BC结扩散电容C_dC(104)、BC结势垒电容C_jCi(106)和BC结电流i_jBCi(108)并联于第一集电区端C’和内基区端B*之间，BE结复合电流i_Bhrec(103)、BE结扩散电容C_dE(105)、BE结势垒电容C_jEi(107)、BE结电流i_jBEi(109)和BE结穿通电流i_BEti(110)并联于第一发射区端E’和内基区端B*之间，发射区电流集边等效电容C_RBi(111)和本征基区电阻R_Bi(112)并联于和第一基区端B’和内基区端B*之间。