[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审

申请号：	202010218557.8	申请日：	2020-03-25
公开（公告）号：	CN111799151A	公开（公告）日：	2020-10-20
发明（设计）人：	中泽贵士;筱原和义	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/67
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	处理方法装置
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【说明书】：

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法包括保持步骤、事先加热步骤、释放步骤和移动步骤。保持步骤保持基片。事先加热步骤加热相反面的中央部，该相反面是基片的与被处理面相反一侧的面。释放步骤在事先加热步骤后，对被处理面的周缘部释放作为硫酸和过氧化氢的混合液的SPM。移动步骤在释放步骤后，使SPM的释放位置从被处理面的周缘部向中央部移动。本发明能够在使用SPM的基片处理中抑制偏差。

技术领域

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术

一直以来，已知有使用作为硫酸和过氧化氢的混合液对SPM，对半导体晶片、玻璃基片等基片进行处理的技术(参照专利文献1)。依照该技术，能够利用因硫酸和过氧化氢的反应产生的反应热对基片进行处理。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2018-107455号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够在使用SPM的基片处理中抑制基片的振动(flapping)的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的基片处理方法包括保持步骤、事先加热步骤、释放步骤和移动步骤。保持步骤保持基片。事先加热步骤加热相反面的中央部，该相反面是基片的与被处理面相反一侧的面。释放步骤在事先加热步骤后，对被处理面的周缘部释放作为硫酸和过氧化氢的混合液的SPM。移动步骤在释放步骤后，使SPM的释放位置从被处理面的周缘部向中央部移动。

发明效果

依照本发明，能够在使用SPM的基片处理中抑制基片的振动。

附图说明

图1是表示第一实施方式的基片处理系统的构成的图。

图2是表示第一实施方式的处理单元的构成的图。

图3是表示第一实施方式的SPM供给机构的构成的图。

图4是表示第一实施方式中，将设定为释放温度110℃的SPM在多个不同的释放条件下释放的情况下的晶片的中央部与周缘部的温度差的变化的图表。

图5是表示第一实施方式的处理单元执行的基片处理的步骤的流程图。

图6是表示第一实施方式的SPM处理的步骤的流程图。

图7是表示SPM处理中的处理单元的动作例的图。

图8是表示SPM处理中的处理单元的动作例的图。

图9是表示SPM处理中的处理单元的动作例的图。