[发明专利]半导体装置和包括半导体装置的半导体封装件在审

专利信息
申请号: 202010218402.4 申请日: 2020-03-25
公开(公告)号: CN112133689A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 崔朱逸;姜芸炳;安振镐;李种昊;秦正起;藤崎纯史 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩芳;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 包括 封装
【说明书】:

提供了半导体装置。半导体装置包括绝缘层和在绝缘层中的导电元件。半导体装置包括与导电元件的表面和绝缘层的表面接触的第一阻挡图案。半导体装置包括在第一阻挡图案上的第二阻挡图案。此外,半导体装置包括在第二阻挡图案上的金属图案。还提供了相关的半导体封装件。

专利申请要求于2019年6月24日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0075216号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及半导体装置,更具体地,涉及包括半导体装置的半导体封装件。

背景技术

其中包括半导体芯片的半导体封装件使得可以容易地使用半导体芯片作为电子产品的一部分。通常,半导体封装件包括印刷电路板(PCB)和半导体芯片,半导体芯片安装在PCB上并使用接合线或凸块(bump)电连接到PCB。随着电子工业的发展,正在进行许多研究以改善半导体封装件的可靠性和耐久性。

发明内容

发明构思的一些实施例提供了一种具有改善的可靠性的半导体装置。此外,发明构思的一些实施例提供了一种具有改善的可靠性的半导体封装件。

根据发明构思的一些实施例,半导体装置可以包括第一绝缘层。半导体装置可以包括在第一绝缘层中的导电元件。半导体装置可以包括与导电元件的表面和第一绝缘层的表面接触的第一阻挡图案。半导体装置可以包括在第一阻挡图案上的第二阻挡图案。此外,半导体装置可以包括在第二阻挡图案上的第一金属图案。第一阻挡图案的宽度可以比第一金属图案的宽度小,第二阻挡图案的宽度可以比第一阻挡图案的宽度小。

根据发明构思的一些实施例,半导体装置可以包括绝缘层。半导体装置可以包括在绝缘层中的导电元件。半导体装置可以包括与导电元件的表面和绝缘层的表面接触的第一阻挡图案。此外,半导体装置可以包括在第一阻挡图案上的金属图案。第一阻挡图案的厚度可以在10埃至的范围内,并且第一阻挡图案可以包括金属氮化物。

根据发明构思的一些实施例,半导体封装件可以包括板和安装在板上的第一半导体封装件。第一半导体封装件可以包括重新分布层、在重新分布层上的半导体芯片以及在重新分布层与板之间的端子结构。重新分布层可以包括绝缘层和在绝缘层中的导电元件。端子结构可以包括顺序地堆叠在导电元件的表面和绝缘层的表面上的第一阻挡图案和第二阻挡图案。端子结构可以包括在第二阻挡图案上的金属图案以及在金属图案与板之间的连接端子。第二阻挡图案的宽度可以比第一阻挡图案的宽度和金属图案的宽度小。第二阻挡图案可以包括钛。

附图说明

通过下面的结合附图进行的简要描述,将更清楚地理解示例实施例。附图呈现了如这里所描述的非限制性示例实施例。

图1是示出根据发明构思的一些实施例的包括半导体装置的半导体封装件的剖视图。

图2A是示出图1的部分A的放大剖视图。

图2B是示出图2A的凸块下金属(UBM)层的平面图。

图2C是示出图1的部分A的放大剖视图。

图2D是示出图1的部分A的放大剖视图。

图3是示出根据发明构思的一些实施例的包括半导体装置的半导体封装件的剖视图。

图4A是示出图3的部分B的放大剖视图。

图4B是示出图3的部分C的放大剖视图。

图5是示出根据发明构思的一些实施例的包括半导体装置的半导体封装件的剖视图。

图6是示出根据发明构思的一些实施例的包括半导体装置的芯片堆叠件的剖视图。

图7A至图7D是示出根据发明构思的一些实施例的制造包括半导体装置的半导体封装件的方法的剖视图。

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