[发明专利]光感测器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光感测器件，其中，包括：

半导体衬底；

感光器件，位于所述半导体衬底中；

介电层，位于所述半导体衬底之上；以及

光管，位于所述感光器件之上且嵌置在所述介电层中，所述光管包括弯曲且凸出的光入射表面。

2.根据权利要求1所述的光感测器件，其中所述光管包括嵌置在所述介电层中的光引导部分及从所述光引导部分向上突出的透镜部分，所述光引导部分位于所述透镜部分与所述感光器件之间，且所述透镜部分包括所述弯曲且凸出的光入射表面。

3.根据权利要求2所述的光感测器件，其中所述透镜部分的光轴与所述光引导部分的中心实质上对齐。

4.根据权利要求2所述的光感测器件，其中所述透镜部分完全覆盖所述光引导部分。

5.一种制作光感测器件的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括形成于其中的感光器件；

在所述半导体衬底之上形成介电层；

在所述介电层中形成沟槽；

在所述介电层上形成填充材料以填充所述沟槽；以及

对所述填充材料及所述介电层进行研磨，以在所述沟槽中形成光管，其中所述光管包括弯曲且凸出的光入射表面。

6.根据权利要求5所述的方法，其中对所述填充材料及所述介电层进行研磨包括：

对所述填充材料进行研磨，直到显露出所述介电层，以形成经研磨填充材料；以及

对所述经研磨填充材料及对所述介电层的部分进行研磨，直到形成所述光管的所述弯曲且凸出的光入射表面。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述经研磨填充材料以第一研磨速率进行研磨，所述介电层的所述部分以第二研磨速率进行研磨，且所述第二研磨速率高于所述第一研磨速率。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述介电层包括堆叠在所述半导体衬底之上的多个金属间介电层，所述多个金属间介电层中的最顶部金属间介电层具有第一厚度，所述多个金属间介电层中的至少一个下伏的金属间介电层具有第二厚度，且在对所述填充材料及所述介电层进行研磨之前，所述第一厚度大于所述第二厚度。

9.一种制作光感测器件的方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成感光器件；

在所述半导体衬底之上形成介电层；

在所述介电层中形成沟槽；

在所述介电层上形成填充材料以填充所述沟槽；

将所述填充材料图案化以形成图案化填充材料；以及

将所述图案化填充材料固化，以在所述沟槽中形成光管，其中所述光管包括具有弯曲且凸出的光入射表面的透镜部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述填充材料包含感光材料，且所述填充材料通过光刻工艺被图案化。