[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

利用PN接合的二极管元件，在具有P型或N型的第一导电型的半导体基板的表面，包括具有所述第一导电型的高浓度第一导电型杂质区域、具有与所述第一导电型相反的导电型的第二导电型的高浓度第二导电型杂质区域、以及由所述高浓度第一导电型杂质区域与所述高浓度第二导电型杂质区域夹着的元件分离区域；以及

浮游层，在所述半导体基板的所述高浓度第二导电型杂质区域的下方与所述高浓度第二导电型杂质区域隔开且具有所述第二导电型。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电型是P型，所述第二导电型是N型。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述二极管元件是保护半导体集成电路的内部电路以免受静电放电的影响的保护二极管。

4.一种半导体装置的制造方法，是制造如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的方法，包括：

准备具有所述第一导电型的半导体基板的步骤；

在所述半导体基板形成所述元件分离区域的步骤；

通过对所述半导体基板的包括成为所述高浓度第二导电型杂质区域的部分的区域以杂质注入的编号顺序进行如下的所述杂质注入中的第二杂质注入、以及第一杂质注入及第三杂质注入中的至少一种杂质注入，形成所述浮游层的步骤：一次或多次离子注入第二导电型的杂质的所述第一杂质注入、一次或多次离子注入第一导电型的杂质的所述第二杂质注入、以及一次或多次离子注入第二导电型的杂质的所述第三杂质注入；

通过对所述半导体基板的成为所述高浓度第二导电型杂质区域的部分一次或多次离子注入第二导电型的杂质，形成所述高浓度第二导电型杂质区域的步骤；以及

通过对所述半导体基板的成为所述高浓度第一导电型杂质区域的部分一次或多次离子注入第一导电型的杂质，形成所述高浓度第一导电型杂质区域的步骤。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中在形成所述浮游层的步骤中，仅进行所述第三杂质注入作为所述第一杂质注入及所述第三杂质注入中的至少一种杂质注入。

6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中在形成所述浮游层的步骤中，仅进行所述第一杂质注入作为所述第一杂质注入及所述第三杂质注入中的至少一种杂质注入。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中将形成所述浮游层的步骤中的所述杂质注入的一部分或全部兼用作所述二极管元件以外的区域的杂质注入而进行。