[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底,所述基底包括隔离区和位于隔离区之间的器件区，器件区上具有若干栅极结构，各所述栅极结构包括浮栅层和位于所述浮栅层上的控制栅层，部分数量的所述栅极结构为无源栅极结构，所述控制栅层还延伸至所述隔离区上，所述隔离区上所述控制栅层的顶部表面低于所述器件区上所述控制栅层的顶部表面；

形成贯穿所述无源栅极结构的所述控制栅层的切割沟槽；

在所述切割沟槽中、所述栅极结构侧部的所述基底上、以及所述隔离区的所述控制栅层上形成第一介质层；

在所述切割沟槽中、所述栅极结构侧部的所述基底上形成位于所述第一介质层上的第二介质层，且所述第二介质层暴露出所述隔离区的所述第一介质层；

以所述第二介质层为掩模刻蚀去除所述隔离区上的所述第一介质层；

刻蚀去除所述隔离区上的所述第一介质层之后，回刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层，直至暴露出所述控制栅层的顶部区域，且所述切割沟槽中的底部具有覆盖所述浮栅层的残余第一介质层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氧化硅；所述第一介质层的厚度为600埃至700埃。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料包括氧化硅；所述第二介质层的厚度为5000埃至6000埃。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的密度大于所述第一介质层的密度。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除隔离区上的第一介质层的工艺包括湿法刻蚀工艺。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述隔离区上的所述第一介质层的过程中，对所述第一介质层的刻蚀速率与对所述第二介质层的刻蚀速率的比值为6至20。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，回刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层的工艺包括各向异性干法刻蚀工艺。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：回刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层之后，对暴露出的所述控制栅层的顶部区域进行金属硅化处理，使所述控制栅层的顶部区域形成金属硅化物层。

9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述金属硅化物层之后，在所述切割沟槽中形成第三介质层；形成贯穿所述第三介质层和所述残余第一介质层的导电连接层，所述导电连接层与所述控制栅层分立且与所述无源栅极结构中的所述浮栅层电学连接。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一介质层之前，还包括：在所述切割沟槽的侧部和底部、所述栅极结构的侧部和顶部、所述基底的表面、以及所述隔离区的所述控制栅层上形成刻蚀停止层；

形成所述第一介质层和所述第二介质层的方法包括：在所述切割沟槽中、所述栅极结构侧部的所述基底上、所述栅极结构的顶部、以及所述隔离区的所述控制栅层上形成第一介质膜；在所述切割沟槽中、所述栅极结构侧部的所述基底上、所述栅极结构的顶部、以及所述隔离区的所述控制栅层上形成位于所述第一介质膜上的第二介质膜；平坦化所述第二介质膜和所述第一介质膜直至暴露出位于所述器件区的所述栅极结构顶部的所述刻蚀停止层表面，且使所述第一介质膜形成所述第一介质层，使所述第二介质膜形成所述第二介质层；

刻蚀去除所述隔离区上的所述第一介质层并以隔离区上的所述刻蚀停止层为停止层；

在回刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层的过程中，还去除了位于所述栅极结构的顶部以及所述栅极结构顶部侧壁的所述刻蚀停止层、以及隔离区的所述控制栅层上的刻蚀停止层。