[发明专利]功率放大器、超声刀

说明书

本发明公开了一种功率放大器、超声刀。该功率放大器包括放大器模块、检测模块和反馈模块；放大器模块包括晶体管；检测模块电连接至晶体管的源极，用于获取与晶体管相关的第一参数，并将第一参数发送至反馈模块；反馈模块电连接检测模块和晶体管的栅极，用于根据第一参数调节晶体管的栅极偏置电压。现有的功率放大器通常在源极上串联大电阻,依靠电阻使静态工作点基本稳定，但是该方法会导致大量的功率消耗在源极电阻上。本发明通过反馈模块调整晶体管的栅极偏置电压能够有效抑制温度及器件个体差异等因素对静态偏置电流的影响。

技术领域

本发明涉及医疗器械领域，具体涉及一种功率放大器、超声刀。

背景技术

随着医疗器械的不断发展，越来越多的传统外科治疗被微创治疗所取代。在微创外科手术中，为了实现组织的切割和闭合，超声刀成为了必不可少的设备。传统的超声刀通常包括金氧半场效晶体管(Metal－Oxide－Semiconductor Field－Effect Transistor，简称为MOSFET)功率放大器。应用于超声刀的MOSFET功率放大器，需要在相对稳定的偏置电流下工作。由于静态偏置电流受温度等因素的影响较为显著，因此常采用负反馈的方法稳定静态工作点。现有的方法是在MOSFET的源极上串联大电阻，依靠电阻使静态工作点基本稳定，但是该方法会导致大量的功率消耗在源极电阻上。现有的方法还包括使用温度特性非常稳定的MOSFET，但是可以使用的MOSFET型号非常有限。

因此，如何避免温度等因素影响功率放大器的静态偏置电流进而影响超声刀的性能成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题和始终研究的重点。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种功率放大器，以解决温度等因素功率放大器静态偏置电流的问题。

为此，本发明实施例提供了如下技术方案：

本发明第一方面提供了一种功率放大器，包括放大器模块、检测模块和反馈模块；

所述放大器模块包括晶体管；

所述检测模块电连接至所述晶体管的源极，用于获取与所述晶体管相关的第一参数，并将所述第一参数发送至所述反馈模块；

所述反馈模块电连接所述检测模块和所述晶体管的栅极，用于根据所述第一参数调节所述晶体管的栅极偏置电压。

进一步地，所述放大器模块包括晶体管的数量为一，所述功率放大器包括第一电阻，其中，所述第一电阻电连接至所述晶体管的源级，用于对流经所述晶体管的电流进行采集，并将得到的第一采集结果经由所述检测模块发送至所述反馈模块。

进一步地，所述检测模块用于区分所述第一电阻采集的流经所述晶体管的直流电流和交流电流，并将区分得到的直流电流和交流电流发送至所述反馈模块。

进一步地，所述放大器模块包括第一晶体管和第二晶体管；所述检测模块电连接至所述第一晶体管的源极和所述第二晶体管的源级，用于获取与所述第一晶体管和所述第二晶体管相关的第二参数，并将所述第二参数发送至所述反馈模块；所述反馈模块电连接所述检测模块和所述第一、第二晶体管的栅极，用于根据所述第二参数调节所述第一、第二晶体管的栅极偏置电压。

进一步地，所述功率放大器包括第二电阻和第三电阻，其中，所述第二电阻电连接至所述第一晶体管的源级，用于对流经所述第一晶体管的电流进行采集，并将得到的第二采集结果经由所述检测模块发送至所述反馈模块；所述第三电阻电连接至所述第二晶体管的源级，用于对流经所述第二晶体管的电流进行采集，并将得到的第三采集结果经由所述检测模块发送至所述反馈模块。

进一步地，所述反馈模块用于根据所述第二采集结果和所述第三采集结果进行PID运算得到第一偏置电压和第二偏置电压；并将所述第一偏置电压发送至所述第一晶体管的栅极，将所述第二偏置电压发送至所述第二晶体管的栅极。

进一步地，所述反馈模块具体用于：