[发明专利]一种离子注入后的清洗方法

权利要求书

1.一种离子注入后的清洗方法，其特征在于，包括：

S1)将经离子注入后的硅片用盐酸与去离子水的混合液进行清洗，得到第一次酸洗后的硅片；

S2)将所述第一次酸洗后的硅片用双氧水、氨水与去离子水的混合液在加热的条件下进行清洗，得到碱洗后的硅片；

S3)将所述碱洗后的硅片用氢氟酸与去离子水的混合液进行清洗，得到第二次酸洗后的硅片；

S4)将所述第二次酸洗后的硅片用盐酸、双氧水与去离子水的混合液在加热的条件下进行清洗，得到第三次酸洗后的硅片；

S5)将所述第三次酸洗后的硅片用氢氟酸与去离子水的混合液进行清洗，得到第四次酸洗后的硅片；

S6)将所述第四次酸洗后的硅片用盐酸与去离子水的混合液进行清洗，得到清洗后的硅片。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述盐酸的浓度为35～40wt％；所述双氧水的浓度为30～35wt％；所述氨水的浓度为25～30wt％；所述氢氟酸的浓度为37～43wt％。

3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S1)中盐酸与去离子水的体积比为1：(15～20)；所述步骤S2)中双氧水、氨水与去离子水的体积比1：(0.8～1.2)：(6～10)；所述步骤S3)中氢氟酸与去离子水的体积比为1：(15～20)；所述步骤S4)中盐酸、双氧水与去离子水的体积比为(1.5～2.5)：1：(5～10)；所述步骤S5)中氢氟酸与去离子水的体积比为1：(5～15)；所述步骤S6)中盐酸与去离子水的体积比为1：(5～15)。

4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S1)中盐酸与去离子水的体积比为1：18；所述步骤S2)中双氧水、氨水与去离子水的体积比1：1：8；所述步骤S3)中氢氟酸与去离子水的体积比为1：18；所述步骤S4)中盐酸、双氧水与去离子水的体积比为2：1：7；所述步骤S5)中氢氟酸与去离子水的体积比为1：9；所述步骤S6)中盐酸与去离子水的体积比为1：9。

5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S2)中加热的温度为40℃～50℃；所述步骤S4)中加热的温度为70℃～80℃。

6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S1)～S6)中每步完成之后均用去离子水进行清洗。

7.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述步骤S1)中的清洗时间为180s；所述步骤S2)中的清洗时间为300s；所述步骤S3)中的清洗时间为60s；所述步骤S4)中的清洗时间为420s；所述步骤S5)中的清洗时间为180；所述步骤S6)中的清洗时间为180s。

8.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一次酸洗后的硅片表面呈不疏水状态，干燥后表面仍存在细小颗粒状物质，且残存刺激性气味；

所述碱洗后的硅片表面为不疏水状态，干燥后表面细小颗粒物质减少，刺激性气味基本消失，颜色从深褐色变为灰色；

所述第二次酸洗后的硅片表面为不疏水状态，水在表面部分疏水为滑落状态。