[发明专利]一种不留胶的UV减粘保护膜及其制备方法

说明书

本发明涉及半导体的相关技术领域，更具体地，本发明提供一种不留胶的UV减粘保护膜及其制备方法。本发明的第一方面提供一种UV减粘组合物，其包括以下重量份的原料：15～35份丙烯酸酯单体、10～20份含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物、0.5～3.6份光引发剂以及20～50份溶剂。本发明提供了UV减粘组合物以及含有该UV减粘组合物的UV减粘保护膜材料，通过丙烯酸酯单体与特定含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物体系形成的组合物作为UV减粘层材料，提高UV减粘保护膜在UV照射前的剥离强度以及降低UV减粘保护膜在UV照射后的剥离强度，从而提高准确度的固定以及捡取效率。

技术领域

本发明涉及半导体的相关技术领域，更具体地，本发明提供一种不留胶的UV减粘保护膜及其制备方法。

背景技术

UV减粘保护膜也是UV减粘胶带，在紫外光(UV光)照射前该胶带具有较高的粘着力，而通过UV光照射胶带后可以使胶带快速失去粘性并且在被贴物体上不会残胶，实现了加工处理过程中被贴物体的有效固定、转移等功能。该产品主要用于晶元片、玻璃、LED芯片、半导体等各类电子元器件切割工艺。

目前的UV减粘保护膜一般在存储约2～4个月后，胶层中的小分子会迁移到胶层表面，虽然后期剥离时经过UV照射后粘合力变小，但胶粘层的小分子会残留在被贴合物体表面，给被贴合物体造成污染；此外，目前国内制备的UV减粘保护膜UV照射前的剥离强度较低而UV照射后剥离强度较高，不能实现高准确度的固定以及高效的捡取。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的第一方面提供一种UV减粘组合物，包括原料：丙烯酸酯单体、含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物、光引发剂以及溶剂；其中含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物中的活性基团包括异氰酸酯基与羟基。

作为本发明的一种优选技术方案，所述UV减粘组合物包括以下重量份的原料：15～35份丙烯酸酯单体、10～20份含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物、0.5～3.6份光引发剂以及20～50份溶剂。

作为本发明的一种优选技术方案，丙烯酸酯单体选自1,6-己二醇双丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、二缩丙二醇双丙烯酸酯、三缩丙二醇双丙烯酸酯、1,9-壬二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸、月桂酸丙烯酸酯、硬酯酸丙烯酸酯、异冰片基丙烯酸酯、醋酸乙烯酯、甲基丙烯酸甲酯、月桂酸甲基丙烯酸酯、异冰片基甲基丙烯酸酯中的任一种或多种的组合。

作为本发明的一种优选技术方案，所述含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物的制备原料包括含羟基的丙烯酸酯单体与多异氰酸酯。

作为本发明的一种优选技术方案，含羟基丙烯酸酯单体选自烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丙酯、丙烯酸羟丁酯、季戊四醇三丙烯酸酯、6-羟基己基丙烯酸酯、2,3-二羟基丙基丙烯酸酯、2,4-二羟基丙基甲基丙烯酸酯中的任一种或多种的组合；优选为6-羟基己基丙烯酸酯与2,3-二羟基丙基丙烯酸酯。

作为本发明的一种优选技术方案，多异氰酸酯选自三亚甲基二异氰酸脂、四亚甲基二异氰酸脂、1,2－亚丙基二异氰酸脂、2,3－亚丁基二异氰酸脂、1,3－亚丁基二异氰酸脂、十二亚甲基二异氰酸脂中的任一种或多种的组合。

作为本发明的一种优选技术方案，含羟基的丙烯酸酯单体中的羟基与多异氰酸酯中的异氰酸酯基的摩尔比为1：(0.6～0.75)。

作为本发明的一种优选技术方案，还包括热引发剂；优选地，热引发剂含量为含有活性反应基团的丙烯酸酯低聚物含量的5～10wt％。

本发明的第二方面提供一种UV减粘保护膜，依次包括基材层、UV减粘层和离型膜层，其中UV减粘层由所述UV减粘组合物制备得到。

本发明的第三方面提供一种所述UV减粘保护膜的制备方法，将UV减粘组合物涂布于基材层表面，预烘后在UV减粘组合物上贴合离型膜层，熟化，得到所述UV减粘膜。