[发明专利]一种低压铝电解电容器用电极箔的制备方法

权利要求书

1.一种低压铝电解电容器用电极箔的制备方法，包括前处理、布孔腐蚀、中处理、深度生长腐蚀、后处理和干燥，其特征在于，所述布孔腐蚀采用的加电波形为起始电流不为零且波峰偏离零点值为0-0.25T的偏移正弦波，且波峰偏离零点值不为端点值；所述深度生长腐蚀采用的加电波形为起始电流不为零且波峰偏离零点值为0-0.5T的偏移正弦波，且深度生长腐蚀时的波峰偏移值大于布孔腐蚀，且波峰偏离零点值不为端点值；其中，T为标准正弦波的周期。

2.根据权利要求1所述的低压铝电解电容器用电极箔的制备方法，其特征在于，所述前处理包括：将铝箔放在30～60℃的含有0.1～1wt.％的氢氧化钠水溶液中浸泡30～90秒，然后水洗。

3.根据权利要求1所述的低压铝电解电容器用电极箔的制备方法，其特征在于，所述布孔腐蚀包括：将经过前处理的铝箔放在10～50℃的含有5～15wt.％的盐酸、0.01～0.1wt.％的硫酸和0.1～2.0wt.％的三氯化铝水溶液中布孔腐蚀，电流密度为0.1～0.5A/cm²，加电时间为10～50秒，频率为10～40Hz，所述布孔腐蚀采用的加电波形为起始电流不为零且波峰偏离零点值为0-0.25T的偏移正弦波，然后水洗。

4.根据权利要求1所述的低压铝电解电容器用电极箔的制备方法，其特征在于，所述中处理包括：将经过布孔腐蚀的铝箔放在60～90℃的含有1～10wt.％的磷酸氢盐或磷酸二氢盐水溶液中进行中处理，处理时间为20～100秒，然后水洗。

5.根据权利要求1所述的低压铝电解电容器用电极箔的制备方法，其特征在于，所述深度生长腐蚀包括：将经过中处理的铝箔放在10～50℃的含有5～15wt.％的盐酸、0.01～0.1wt.％的硫酸和0.1～2.0wt.％的三氯化铝水溶液中进行深度生长腐蚀，电流密度为0.1～0.5A/cm²，加电时间为60～120秒，频率为10～40Hz，加电波形为起始电流不为零且波峰偏离零点值为0-0.5T的偏移正弦波，且深度生长腐蚀时的波峰偏移值大于布孔腐蚀，然后水洗。

6.根据权利要求1所述的低压铝电解电容器用电极箔的制备方法，其特征在于，所述后处理包括：将经过深度生长腐蚀的铝箔先放在40～80℃的含有1～15wt.％的硫酸水溶液中浸泡30～120秒，水洗，随后将铝箔放在40～80℃的含有0.01～1wt.％的三乙醇胺溶液中浸泡30～120秒，然后再次水洗。

7.根据权利要求1所述的低压铝电解电容器用电极箔的制备方法，其特征在于，所述干燥包括：将经过后处理的铝箔在200～400℃下热处理30～120秒。

8.根据权利要求1-7任一项所述的低压铝电解电容器用电极箔的制备方法，其特征在于，所述中处理、深度生长腐蚀交替重复进行多次，且后一次深度生长腐蚀的波峰偏移值大于前一次深度生长腐蚀的波峰偏移值。

9.根据权利要求2-6任一项所述的低压铝电解电容器用电极箔的制备方法，其特征在于，所述水洗的温度为室温，水洗的时间为30～240秒。

10.由权利要求1-9任一项所述的制备方法得到的低压铝电解电容器用电极箔。