[发明专利]一种适用于任意入射场的AI学习型电磁散射计算方法有效

专利信息
申请号: 202010211086.8 申请日: 2020-03-23
公开(公告)号: CN111444601B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 徐魁文;马振超;陈旭东;松仁成 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: G06F30/27 分类号: G06F30/27;G06F30/23;G06N3/0464;G06N3/08;G06F111/10
代理公司: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人: 孙孟辉
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 任意 入射 ai 学习 电磁 散射 计算方法
【说明书】:

发明公开了一种适用于任意入射场的AI学习型电磁散射计算方法,属于电磁散射领域。本发明采用AI学习网络来训练学习对比度入射波到感应电流之间的非线性关系:样本设计:为了引入已知信息,网络输入采用作为输入,计算得到前向电流数据作为AI学习型网络的真实样本;网络设计:采用AI学习型网络作为模型来完成训练预测过程,从而表征输入信息,也就是散射体,入射场,到感应电流的关系。本发明相比与作为输入的,这种方法适用范围更广,在相同网格划分下,应用此方法求解散射场,不仅在时间上比传统算法快,而且在精度上也有不小的提升,仿真测试验证了该方法的有效性。

技术领域

本发明属于电磁散射领域,提出了一种适用于任意入射场的AI学习型电磁散射计算方法。

背景技术

自麦克斯韦方程组提出至今,已经有100多年的历史了。在这期间。电磁技术与理论发展迅速,并且得到了广泛的应用,如无线电通信,雷达与天线,地质勘测,生物医学成像等等。电磁波在实际环境中传播十分复杂,因此,研究电磁波特性具有重要的意义,实验和理论分析计算是相辅相成的重要手段。

在理论分析计算中,大多数求解电磁学问题都无法直接通过麦克斯韦方程组解析形式来实现,只能依靠数值方法。如发展迅速的计算电磁学方法(CEM),总体可以分为两类:1.积分方程求解;2.偏微分方程求解。基于偏微分方程求解的方法包括有限差分法(FDM),有限元法(FEM),边界元法(BEM)。同时,基于积分方程的电磁计算方法由矩量法(MoM)以及由其衍生的计算方法组成。

虽然以上提到的前向电磁散射问题快速求解已经取得了很大的进步,但是对于大多数全波问题来说,这依然需要大量的时间和内存空间计算成本。因此,在电磁散射问题上,迫切需要一种精确、计算成本低、具备良好鲁棒性的求解方法。

近年来,人工智能(AI)在实际应用中非常广泛,作为AI领域的深度学习,已应用于计算机视觉、图像处理(分类、分割、恢复)、大数据处理和学习等。虽然基于深度神经网络的电磁技术发展才刚刚开始,但最近已经有很多研究将其应用在逆散射问题,微波成像,雷达和遥感,合成孔径重建(SAR),多输入/多输出(MIMO)系统等等。由于其强大的非线性逼近能力和快速的预测能力,深度学习也逐渐成为一种强大的框架,为计算电磁学领域提供了前所未有的低计算时间消耗和高精度性能。特别是在电磁反演问题中,已有一些结合深度学习技术的优秀成果被报道。DNNs采用卷积神经网络(CNNs)来解决逆散射问题,能够快速生成良好的定量结果。结果表明,基于深度学习的反演方法在图像质量和计算时间上都明显优于传统的迭代反演方法。

受到以上工作的启发,设计发明了一种适用于任意入射场的AI学习型电磁散射计算方法来解决电磁散射问题。该方法并没有通过网络直接去获取散射场信息,而是以入射场以及与散射体相关的信息作为输入,通过AI学习型网络来学习得到前向电流,之后才根据电流信息来计算得到散射场。

发明内容

本发明的目的是针对传统算法在求解散射场的过程中,计算前向电流时需要大量的时间成本和计算空间成本,提出了一种在以对比度与对比度和入射场乘积的通道数叠加,即作为输入,用AI学习型网络来学习预测前向电流,最后计算得到散射场的方法。本发明的技术方案:

本发明设计方法利用AI学习型网络来训练学习对比度入射波到感应电流之间的非线性关系,具体方案设计如下:

一种适用于任意入射场的AI学习型电磁散射计算方法,采用AI学习网络来训练学习对比度入射波到感应电流之间的非线性关系,其特征在于:

样本设计:为了引入已知信息,网络输入采用作为输入,计算得到前向电流数据作为AI学习型网络的真实样本;

网络设计:采用AI学习型网络作为模型来完成训练预测过程,从而表征输入信息,也就是散射体,入射场,到感应电流的关系。

进一步的,所述的前向电流数据的计算方法为矩量法MoM、有限元法FEM、时域有限差分发FDTD。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010211086.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top