[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

第一衬底；

键合于所述第一衬底上的支撑层，所述支撑层中形成有贯穿所述支撑层的第一空腔；

压电叠层结构，覆盖所述第一空腔，所述压电叠层结构从上至下包括依次层叠的第一电极、压电层和第二电极，在有效谐振区所述第一电极、压电层和第二电极在垂直于所述压电层方向上重叠；

所述第一电极包括第一侧面和/或所述第二电极包括第二侧面，所述有效谐振区的至少部分边界包括所述第一侧面和/或所述第二侧面，且所述第一侧面和/或所述第二侧面与所述压电层表面的夹角为85-95度。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述有效谐振区的边界包括：第一侧面；

或者，所述有效谐振区的边界包括：第一侧面和第三侧面；

或者，所述有效谐振区的边界包括：第二侧面；

或者，所述有效谐振区的边界包括：第二侧面和第三侧面；

或者，所述有效谐振区的边界包括：第一侧面和第二侧面；

或者，所述有效谐振区的边界包括：第一侧面、第二侧面和第三侧面；所述第三侧面为所述压电层的侧面。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述有效谐振区的边界完全位于所述第一空腔围成的区域上方；

或，所述有效谐振区的边界部分位于所述第一空腔围成的区域上方，部分跨越所述第一空腔位于所述支撑层上方。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极中设有贯穿所述第一电极的第一沟槽，所述第一沟槽的内侧壁构成所述第一侧面；

和/或，

所述第二电极中设有贯穿所述第二电极的第二沟槽，所述第二沟槽的内侧壁构成所述第二侧面。

5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一沟槽和/或所述第二沟槽至少贯穿一部分厚度的所述压电层。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层通过热压键合或干膜粘合的方式键合在所述第一衬底上。

7.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层与所述第一衬底之间设置有键合层或干膜层。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二电极与所述支撑层之间设置有刻蚀停止层。

9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，还包括：钝化层，所述钝化层覆盖所述第一电极、所述压电层和所述第二电极。

10.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述有效谐振区的形状为多边形，且所述多边形的任意两条边不平行。

11.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一空腔上方至少包括一个贯穿所述第一空腔上方结构的通孔，所述通孔位于所述有效谐振区的外部。

12.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

提供第二衬底；

在所述第二衬底上形成压电叠层结构，所述压电叠层结构包括依次沉积在所述第二衬底上的第一电极、压电层及第二电极；

在所述压电叠层结构上形成支撑层；

在所述支撑层中形成第一空腔，所述第一空腔贯穿所述支撑层；

提供第一衬底，将所述第一衬底键合在所述支撑层上，所述第一衬底覆盖所述第一空腔；

去除所述第二衬底；以及

形成所述压电叠层结构后，图形化所述压电叠层结构形成有效谐振区，所述有效谐振区的边界包括第一电极的第一侧面和/或所述第二电极的第二侧面，所述第一电极的第一侧面与所述压电层的夹角为85-95度和/或所述第二电极的第二侧面与所述压电层的夹角为85-95度。