[发明专利]一种薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

第一衬底；

设置于所述第一衬底上的支撑层，所述支撑层中设有贯穿所述支撑层的第一空腔；

压电叠层结构，覆盖所述第一空腔，所述压电叠层结构从上至下包括依次层叠的第一电极、压电层和第二电极，在有效谐振区所述第一电极、压电层和第二电极在垂直于所述压电层表面方向上重叠，所述有效谐振区位于所述第一空腔围成的区域上方；

所述压电叠层结构中设有贯穿所述压电层及所述第二电极的第一沟槽，所述第一沟槽靠近所述有效谐振区的侧壁为第一侧面，所述第一侧面与所述第一电极表面的夹角为85-95度，所述有效谐振区的部分边界由所述第一侧面构成。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极或所述第一电极与所述压电层设有第二侧面，所述有效谐振区的边界包括：第一侧面和第二侧面。

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二侧面与所述第二电极表面的夹角为85-95度。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一沟槽连通于所述第一空腔。

5.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电叠层结构中设有贯穿所述第一电极或同时贯穿所述第一电极及所述压电层的第二沟槽，所述第二沟槽靠近所述有效谐振区的侧壁构成所述第二侧面。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的材料具有晶格结构，所述晶格具有第一晶面，所述第一晶面与所述第一侧面平行。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述有效谐振区通过跨越所述第一空腔的连接部连接于所述支撑层，所述连接部包括所述第一电极、压电层或第二电极中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层通过键合工艺键合在所述第一衬底上，所述支撑层与所述第一衬底之间设置有键合层或干膜层。

9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二电极与所述支撑层之间设置有刻蚀停止层。

10.根据权利要求9所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述刻蚀停止层的材质包括：二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或多种组合。

11.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述有效谐振区的形状为多边形，且所述多边形的任意两条边不平行。

12.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一空腔上方至少包括一个贯穿所述第一空腔上方结构的通孔，所述通孔位于所述有效谐振区的外部。

13.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的材料包括氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾或钽酸锂。

14.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一衬底与所述支撑层的材料不同，所述支撑层的材质包括：二氧化硅、氮化硅、氧化铝和氮化铝中的一种或多种组合。

15.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一侧面与所述第一电极表面的夹角为89-91度。