[发明专利]清洁装置

说明书

本发明涉及一种清洁装置。所述清洁装置包括：第一喷口，用于朝向一待清洁表面喷射清洗液；第二喷口，用于朝向所述待清洁表面喷射气体，所述清洗液与所述气体混合后形成超临界流体，以去除残留于所述待清洁表面的杂质。本发明一方面，提高了所述清洁装置的清洁效率；另一方面，提高所述清洁装置的清洁能力。另外，从所述超临界流体中释放的所述气体还能有效的防止晶圆在传送过程中被腐蚀，从而改善晶圆产品的质量。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种清洁装置。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

其中，3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。

在3D NAND存储器等半导体器件的制造工艺中，化学机械研磨(ChemicalMechanical Polish，CMP)是至关重要的步骤。然而，化学机械研磨装置中研磨垫表面清洁与否，是化学机械研磨过程能否顺利进行、以及评价化学机械研磨质量的一个重要指标。但是，现有的方法不能有效的清除研磨垫表面的杂质，且清洁效率较低，从而导致晶圆在化学机械研磨的过程中有被划伤的风险，且降低了化学机械研磨装置的产能。

因此，如何改善化学机械研磨装置中研磨垫的清洁质量，提高研磨垫的清洁效率，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种清洁装置，用于解决现有的清洁方法清洁效能较差的问题，以改善清洁效果。

为了解决上述问题，本发明提供了一种清洁装置，包括：

第一喷口，用于朝向一待清洁表面喷射清洗液；

第二喷口，用于朝向所述待清洁表面喷射气体，所述清洗液与所述气体混合后形成超临界流体，以去除残留于所述待清洁表面的杂质。

可选的，所述第一喷口环绕所述第二喷口的外周设置。

可选的，包括喷嘴，所述喷嘴包括：

喷嘴本体；

第一通道，位于所述喷嘴本体内部，用于与所述第一喷口连通；

第二通道，位于所述喷嘴本体内部，用于与所述第二喷口连通，所述第二通道嵌套于所述第一通道内。

可选的，所述喷嘴还包括：

第一入口，位于所述喷嘴本体背离所述第一喷口的端部，用于向所述第一通道传输所述清洗液，所述第一入口偏离所述喷嘴本体的中心设置；

第二入口，位于所述喷嘴本体背离所述第二喷口的端部，用于向所述第二通道传输所述气体，所述第二入口与所述喷嘴本体的中心对准设置。

可选的，所述第一喷口与所述第二喷口平行设置，且所述第二喷口位于所述第一喷口的一侧。

可选的，还包括：

第一控制阀，安装于所述喷嘴外部，用于调整传输至所述第一通道的所述清洗液的流速。

可选的，还包括：

第二控制阀，安装于所述喷嘴外部，用于调整传输至所述第二通道的所述气体的流速。

可选的，还包括：