[发明专利]超低电压负反馈调制能量收集电路

权利要求书

1.一种超低电压负反馈调制能量收集电路，其特征在于，包括：MOS管组；第一二极管D₁；第二二极管D₂；变压器；第一电容C₁；第二电容C₂；负电压发生器；第一比较器以及放大器；第二电阻R2；第三电阻R₃；第四电阻R₄以及第五电阻R₅；

所述的MOS管组包括第一MOS管M₁、第二MOS管M₂，第三MOS管M₃以及第四MOS管M₄；

所述的第一MOS管M₁的源极以及所述的第二MOS管M₂的源极均接地；

所述的第一MOS管M₁的栅极与所述的负电压发生器的输出端相连；

所述的第二MOS管M₂的栅极与所述的第三MOS管M₃的栅极相连；

所述的第三MOS管M₃的源极接地，所述的第三MOS管M₃的漏极与所述的第一二极管D₁的阳极相连；

所述的第一二极管D₁的阴极与输出端口相连；

所述负电压发生器的第一端口接地；

所述负电压发生器的第二端口与所述第四MOS管M₄的漏极相连；

所述负电压发生器的第三端口与输出端口相连；

所述输出端口与所述第三电阻R₃的一端相连，所述第三电阻R₃的另一端与所述第四电阻R₄的一端相连，所述第四电阻R₄的另一端与所述第五电阻R₅的一端相连，所述第五电阻R₅的另一端接地；

所述第三电阻R₃的另一端与所述第一比较器的同向输入端相连，所述第一比较器的反向输入端与所述放大器的反向输入端相连；

所述第一比较器的输出端与所述放大器的使能端相连；

所述放大器的同向输入端与所述第五电阻R₅的一端相连，所述放大器的输出端与所述第四MOS管M₄的栅极相连；

所述第四MOS管M₄的源极与所述第二电阻R₂的一端相连，所述第二电阻R₂的另一端接地；

所述的变压器的原边侧一端与输入端口相连，所述变压器原边侧另一端与所述第一MOS管M₁的漏极相连；

所述的变压器的副边侧一端与第二电容C₂的一端相连，所述变压器的副边侧的另一端接地；

所述第二电容C₂的另一端与所述第二二极管D₂的阳极相连，所述第二二极管D₂的阴极与输出端口相连；

所述第一电容C₁的一端与所述第二电容C₂的一端相连，所述第一电容C₁的另一端与所述第三MOS管M₃的栅极相连；

所述负电压发生器包括第二比较器，第五MOS管M₅，第六MOS管M₆，第七MOS管M₇，第三电容C₃，第四电容C₄以及第四二极管D₄；

所述负电压发生器的第一端口与所述第二比较器的反向输入端相连；

所述负电压发生器的第一端口与所述第二比较器的同向输入端相连；

所述第二比较器分别与所述第五MOS管M₅的栅极、所述第六MOS管M₆的栅极以及所述第七MOS管M₇的栅极相连；

所述第五MOS管M₅的源极与所述负电压发生器的第三端口相连；

所述第五MOS管M₅的漏极与所述第七MOS管M₇的漏极相连；

所述第七MOS管M₇的漏极与所述第三电容C₃的一端相连，所述第三电容C₃的另一端与所述第六MOS管M₆的漏极相连；

所述第六MOS管M₆的源极接地；

所述第六MOS管M₆的漏极与所述第四二极管D₄的阴极相连，所述述第四二极管D₄的阳极与所述负电压发生器的输出端相连；

所述第四电容C₄的一端与所述第七MOS管M₇的漏极相连，所述第四电容C₄的另一端与所述负电压发生器的输出端相连。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一MOS管M₁、第二MOS管M₂均为耗尽型NMOS管；

所述第三MOS管M₃、第四MOS管M₄均为增强型NMOS管。