[发明专利]用于半导体机台的校温方法

说明书

本发明提供一种用于半导体机台的校温方法，其包括如下步骤：提供至少一校温片，所述校温片包括一晶体管，所述晶体管具有一与设定电流对应的电压‑温度特性曲线；将所述校温片置于所述半导体机台的测量区域；向所述校温片通电，通电电流与所述设定电流相同，并测量所述晶体管的电压；将所述电压作为已知参数，并根据所述晶体管的电压‑温度特性曲线获得所述晶体管的温度，所述温度为所述半导体机台测量区域的温度。本发明的优点在于，利用晶体管的电压‑温度特性曲线获得所述半导体机台的温度，大大提高了校温的精确度，进一步提高半导体机台性能，提高半导体制程的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于半导体机台的校温方法。

背景技术

在半导体的制造工艺中，通常需要在半导体机台上进行高温或者低温工艺。温度对半导体制程有很大影响，特别是对温度敏感的工艺，温度的影响不可忽略，因此，机台的温度校准非常重要。

现有半导体机台校温的方法是，在半导体机台上放置多个校温器(例如设置5个校温器或设置9个校温器)，给予半导体机台校温，以确保半导体机台的温度达到设定温度及晶圆在半导体机台各处温度的一致性。现有的校温器通常为传感器，其缺点在于校温精度低，不能满足需求。

因此，亟需一种新的用于半导体机台的高精度的校温方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种用于半导体机台的校温方法。

为了解决上述问题，本发明提供了一种用于半导体机台的校温方法，其包括如下步骤：提供至少一校温片，所述校温片包括一晶体管，所述晶体管具有一与设定电流对应的电压-温度特性曲线；将所述校温片置于所述半导体机台的测量区域；向所述校温片通电，通电电流与所述设定电流相同，并测量所述晶体管的电压；将所述电压作为已知参数，并根据所述晶体管的电压-温度特性曲线获得所述晶体管的温度，所述温度为所述半导体机台测量区域的温度。

进一步，所述晶体管的电压-温度特性曲线的获得方法包括如下步骤：在多个设定温度下，获取所述晶体管的电流-电压曲线，每一设定温度对应一电流-电压曲线；在每一个电流-电压曲线上获取所述设定电流对应的电压值；将所述电压值与对应的所述设定温度作为参数，绘制所述电压-温度特性曲线。

进一步，所述晶体管为双极结型晶体管。

进一步，在多个设定温度下，获取所述晶体管的电流-电压曲线的方法包括如下步骤：在一设定温度下，向所述晶体管施加多个发射结电压，获得与所述发射结电压对应的基极电流及集电极电流；将同一发射结电压对应的所述基极电流与所述集电极电流求和，作为该发射结电压对应的发射极电流；以所述发射极电流及所述发射结电压作为参数，绘制所述电流-电压曲线，获得所述设定温度对应的电流-电压曲线；重复上述步骤，获得多个设定温度对应的电流-电压曲线。

进一步，所述双极结型晶体管为PNP型晶体管，所述发射结电压的取值范围为-1.2V～-0.5V。

进一步，所述双极结型晶体管为NPN型晶体管，所述发射结电压的取值范围为0.5V～1.2V。

进一步，所述设定电流的选择方法为：在所述电流-电压曲线的线性区选择一电流作为所述设定电流。

进一步，所述设定温度的取值范围是-40℃～150℃。

进一步，所述电压-温度特性曲线为一次函数曲线，所述电压-温度特性曲线具有一理论斜率值，将绘制的所述电压-温度特性曲线的实际斜率值与所述理论斜率值进行比较，若两者的差值大于一预设值，则重新获得所述电压值，并绘制所述电压-温度特性曲线。

进一步，在每次对所述半导体机台进行校温之前，获取与设定电流对应的电压-温度特性曲线。

进一步，所述校温方法还包括如下步骤：提供一晶圆；对所述晶圆进行切割，获得所述校温片。