[发明专利]一种碳化硅单晶位错检测方法在审
| 申请号： | 202010198747.8 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111366589A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 彭燕;杨祥龙;徐现刚;王垚浩;于国建;陈秀芳 | 申请（专利权）人： | 广州南砂晶圆半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N1/32;C30B33/12;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 511400 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 单晶位错 检测 方法 | ||
1.一种碳化硅单晶位错检测方法，其特征在于，包括：
将碳化硅晶圆放入微波等离子体腔体内；
对所述微波等离子体腔体内进行抽真空处理，直至所述微波等离子体腔体内的压力达到预设压力值；
向所述微波等离子体腔体通入氢气、氧气和甲烷中的一种或多种刻蚀气体；
打开微波，使通入所述微波等离子体腔体内的刻蚀气体形成氢等离子体或者氧等离子体，以利用所述氢等离子体或者氧等离子体刻蚀所述碳化硅晶圆。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将碳化硅晶圆放入微波等离子体腔体内，包括：
将碳化硅晶圆放入微波等离子体腔体的底部，其中，所述碳化硅晶圆的硅面与所述微波等离子体腔体的底部相接触。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将碳化硅晶圆放入微波等离子体腔体内之前，所述方法还包括：
对所述碳化硅晶圆进行清洗处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通入所述微波等离子体腔体内的刻蚀气体的流量为50-1000sccm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通入所述微波等离子体腔体内的刻蚀气体的流量为100-500sccm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述氢等离子体或者氧等离子体刻蚀所述碳化硅晶圆的过程中，所述微波等离子体腔体内压力为50～400torr、温度为800～1200℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用所述氢等离子体或者氧等离子体刻蚀所述碳化硅晶圆的过程中，所述微波等离子体腔体内压力为150～400torr、温度为900～1200℃。
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