[发明专利]瞬态二极管及其封装工艺在审
| 申请号: | 202010196186.8 | 申请日: | 2020-03-19 |
| 公开(公告)号: | CN111403366A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
| 发明(设计)人: | 曹雨辰;刘伟 | 申请(专利权)人: | 常州星海电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司: | 常州市华信天成专利代理事务所(普通合伙) 32294 | 代理人: | 何学成 |
| 地址: | 213022 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 瞬态 二极管 及其 封装 工艺 | ||
本发明提供了一种瞬态二极管及其封装工艺,包括黑胶封装本体、框架贴片和TVS芯片,所述框架贴片包括左框架贴片和右框架贴片,所述左框架贴片和右框架贴片分别与所述TVS芯片的底面及顶面通过锡焊层焊接,且所述左框架贴片与所述TVS芯片的焊接处设有第一焊接凸台,所述右框架贴片与所述TVS芯片的焊接处设有第二焊接凸台,封装结构整体厚度为0.97‑1.03mm。封装工艺包括点胶、固晶、焊接、清洗、模压、成型及测试等过程。本发明提供的瞬态二极管,市场适应性广,可用多种于高密度、小型化和具有复杂功能的通讯设备。其封装工艺,产品一致性高,稳定性好,生产效率高。
技术领域:
本发明涉及二极管封装技术,具体涉及一种瞬态二极管及封装工艺。
背景技术:
随着电子通讯技术的不断发展,高密度、小型化和具有复杂功能的通讯设备,已成为市场的主流。市场对超薄二极管封装体的需求量越来越大。但是,由于其工作电压低,极易受到静电放电(ESD)的威胁,甚至造成破坏性后果。同时由于器件特征尺寸逐渐缩小,因而对电路瞬间电流、电压冲击更为敏感。ESD损伤成为电路元器件的主要可靠性问题之一,研究表明大多数情况下ESD损伤表现为潜在损伤,以至于使器件的长期可靠性都受到严重影响。瞬态抑制二极管(TVS)又叫钳位型二极管,是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件,具有适应低压电路的特点,动态电阻低、且封装集成度高,适用于电路板面积紧张的情况下使用。具有很低的箝位电压,经过多次ESD过程后不会劣化,设备在充电前的工作时间更长,可更持久地工作。但现有的TVS一般为SMA封装,这种结构厚度大,封装占位面积大,用料多,生产成本高,且工作时的热量不易散发出去,在市场中的适应性差,不能满足市场需求。
发明内容:
本发明的目的是针对现有技术的缺陷,提供一种能够解决上述问题的瞬态二极管及其封装工艺。
实现本发明目的的技术方案是:一种瞬态二极管,包括黑胶封装本体、框架贴片和TVS芯片。所述TVS芯片和框架贴片模压封装在所述黑胶封装本体内,所述框架贴片包括左框架贴片和右框架贴片,所述左框架贴片和右框架贴片分别与所述TVS芯片的底面及顶面通过锡焊层焊接,且所述左框架贴片与所述TVS芯片的焊接处设有第一焊接凸台,所述右框架贴片与所述TVS芯片的焊接处设有第二焊接凸台,所述左框架贴片和右框架贴片从封装本体内延伸至黑胶封装本体外,且延伸段与所述封装本体底面处于同一平面,所述TVS芯片、第一焊接凸台与第二焊接凸台完全包覆在黑胶封装本体内,且所述封装结构整体厚度为0.97-1.03mm。
进一步地,所述上框架贴片和下框架贴片厚度为0.135-0.165mm,所述TVS芯片厚度为0.24-0.26mm,所述第一焊接凸台与第二焊接凸台的高度为0.09-0.11mm,所述两锡焊层的厚度均为0.045-0.055mm,所述黑胶封装本体的上部黑胶余量和底部黑胶余量的厚度为0.145-0.155mm。
进一步地,所述黑胶封装本体的黑胶为环氧树脂。
本申请还提供了瞬态二极管的封装工艺,包括如下步骤:
(1)准备好分别装有左框架贴片和右框架贴片的石墨舟载具及装有TVS芯片的芯片存放盒;
(2)将装有左框架贴片的石墨舟载具放置在专用点胶底座上,点胶机对左框架贴片的第一焊接凸台进行点胶,在第一焊接凸台上涂覆高温锡膏;
(3)将TVS芯片从芯片存放盒中取出,并将TVS芯片的底面与点胶完毕的左框架贴片的焊接凸台连接装配;
(4)将装有右框架贴片的石墨舟载具放置在专用点胶底座上,点胶机对右框架贴片的第二焊接凸台进行点胶,在第二焊接凸台上涂覆高温锡膏;
(5)将右框架贴片与装有TVS芯片的左框架贴片进行拼接,即将涂覆高温锡膏的第二焊接凸台与TVS芯片的顶面连接装配,形成二极管芯片组;
(6)将装配完成的二极管芯片组放置于焊接炉中进行焊接实现欧姆接触;
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