[发明专利]一种全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种全无机钙钛矿光电探测器，其特征在于：

所述光电探测器为沿自身厚度方向堆叠的层状结构，其包括玻璃基底、CuPc空穴传输层、CsPbBr₃钙钛矿薄膜、MoO_x修饰层及Ag电极层，所述玻璃基底包括基底及形成在所述基底上的ITO导电层；所述CuPc空穴传输层形成在所述ITO导电层上；所述CsPbBr₃钙钛矿薄膜形成在所述CuPc空穴传输层表面上；所述MoO_x修饰层形成在所述CsPbBr₃钙钛矿薄膜上；所述Ag电极层形成在所述MoO_x修饰层上。

2.如权利要求1所述的全无机钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述CsPbBr₃钙钛矿薄膜由依次蒸镀的PbBr₂前驱体层、CsBr前驱体层在退火下反应生成的。

3.如权利要求2所述的全无机钙钛矿光电探测器，其特征在于：PbBr₂层的厚度为150～200nm，CsBr层的厚度为115～150nm。

4.如权利要求1所述的全无机钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述CuPc空穴传输层的厚度为6～10nm。

5.如权利要求1所述的全无机钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述MoO_x修饰层的厚度为4～8nm。

6.如权利要求1-5任一项所述的全无机钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述Ag电极层的厚度为110～120nm。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的全无机钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)提供玻璃基底，在所述玻璃基底的ITO导电层上采用蒸镀工艺制备CuPc空穴传输层；

(2)用连续蒸镀工艺在CuPc空穴传输层上制备CsPbBr₃钙钛矿薄膜；

(3)采用蒸镀工艺在CsPbBr₃钙钛矿薄膜上沉积MoO_x修饰层；

(4)采用蒸镀工艺在MoO_x修饰层上沉积Ag电极层，由此完成所述光电探测器的制备。

8.如权利要求7所述的全无机钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于：CuPc空穴传输层的制备是在压强小于9×10^-4Pa的真空腔室内进行的，采用的蒸发速率为

9.如权利要求7所述的全无机钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，首先，在所述CuPc空穴传输层上蒸镀PbBr₂前驱体层，再蒸镀CsBr前驱体层；最后，在空气中以250～270℃进行退火7-10min以得到CsPbBr₃钙钛矿薄膜；其中，PbBr₂层与CsBr层的蒸发速率均为

10.如权利要求7所述的全无机钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(4)是在压强小于9×10^-4Pa的真空腔室内进行的，采用的蒸发速率为