[发明专利]电源电路

说明书

本发明提供一种能够抑制泄漏电流增大的电源电路。在主低压差部(1)于通常动作时输出第一内部电压(Vin1)且副低压差部(2)在睡眠动作时输出睡眠电压(Vsp)的电源电路(PS)中，对晶体管(TR1)的漏极施加睡眠电压(Vsp)，对栅极及背栅极施加比睡眠电压高的外部电压(Vex)。

技术领域

本发明涉及一种电源电路。

背景技术

专利文献1所揭示的电源电路通过开关(switch)来抑制因泄漏(leak)造成的消耗电流。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本专利特开2001-147746号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

与所述消耗电流的抑制相关联地，例如在用于无线系统的电源电路中，按时间序列来交替地切换通常动作、及仅进行必要最小限度动作的睡眠(sleep)动作。在电源电路内，基本上，对于向电源电路的输出端子输出电压的操作，在通常动作时是由主低压差(LowDropOut，LDO)部来进行，另一方面，在睡眠动作时，则由副LDO部来进行。对于前者，详细而言，如图3所示，主LDO部10由直流/直流(Direct Current/Direct Current，DC/DC)转换器(converter)部(未图示)所生成的第一内部电压Vin1(例如1.7V)来生成第二内部电压Vin2(例如1.4V)，并将第二内部电压Vin2输出至输出端子TM。

为了使在通常动作时应输出的所述第二内部电压Vin2的电平稳定，主LDO10具有反馈(feedback)系统。反馈系统包含放大器A10、晶体管(transistor)TR10(例如P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，PMOSFET))、开关SW10以及电阻器R10、电阻器R20。放大器A10对从偏压部(未图示)输出的基准电压Vref(例如1.2V)、与通过利用电阻器R1和电阻器R2来对第二内部电压Vin2进行分压而规定的分压电压Vdiv(例如1.2V左右)进行差动放大，将通过差动放大而获得的电压Vg(栅极电压Vg)输出至晶体管TR10的栅极。在主LDO10部，参照基准电压Vref来使栅极电压Vg起伏，由此来使晶体管TR10的源极/漏极电流增减。由此，使晶体管TR10的漏极电压即第二内部电压Vin2稳定为所述的1.4V。

另一方面，当响应控制信号CT而从通常动作切换为睡眠动作时，与所述通常动作时相对照地，DC/DC转换器部停止动作。然而，在睡眠状态之前的通常动作时由DC/DC转换器部输出且被施加至晶体管TR10的源极及背栅极的第一内部电压Vin1因连接于DC/DC转换器部的输出端及接地间的元件(例如平滑电容器)的影响等，而逐渐下降。其结果，第一内部电压Vin1低于对输出端子TM施加的、来自副LDO部(未图示)的输出电压(睡眠电压)。即，在晶体管TR10中，施加至源极及背栅极的第一内部电压Vin1变得低于施加至漏极的睡眠电压。由此，对于晶体管TR10的体二极管(body diode)(未图示)而言，将施加顺向电压，其结果，存在晶体管TR10中的泄漏电流增大的问题。

本发明的目的在于提供一种能够抑制泄漏电流增大的电源电路。

[解决问题的技术手段]

为了解决所述问题，本发明的电源电路是继通常动作之后切换为睡眠动作的电源电路，所述电源电路包括：

副LDO部，在所述睡眠动作时，生成用于所述睡眠动作的电压即睡眠电压，并将所述睡眠电压输出至输出端子；

PMOS晶体管，在所述通常动作时，源极连接于第一内部电压，且将第二内部电压输出至所述输出端子，所述第二内部电压是通过流经所述源极及漏极间的电流的大小控制而规定的所述漏极的电压；以及