[发明专利]微流体致动器的制造方法

说明书

一种微流体致动器的制造方法，包含以下步骤：提供一基板；沉积一第一保护层于该基板的一第一表面上；沉积一致动区于该第一保护层上，该致动区更包含：依序沉积一下电极层、沉积一压电致动层以及沉积一上电极层；以及通过光刻干式蚀刻部分该第一保护层，产出至少一第一保护层流道；通过湿式蚀刻部分该基板的一主结构，产出一腔体以及产出一第一多晶硅流道区，但未蚀刻该主结构的一氧化层中段区域；使用反应离子蚀刻部分该基板的一第二表面，产出至少一基板硅流道；以及使用干式蚀刻部分一二氧化硅层，产出至少一二氧化硅流道。

技术领域

本案关于一种微流体致动器的制造方法，尤指一种使用1P6M(P代表Ploy层，M代表Metal层)或2P4M(P代表Ploy层，M代表Metal层)制程搭配微机电半导体制程的微流体致动器的制造方法。

背景技术

随着科技的日新月异，微流体致动器的应用上亦愈来愈多元化，举凡工业应用、生医应用、医疗保健、电子散热等等，甚至近来热门的穿戴式装置皆可见它的踨影，可见传统的微流体致动器已渐渐有朝向装置微小化、流量极大化的趋势。

然而，目前微流体致动器虽然持续地改良使其微小化，但仍旧无法突破毫米等级进而将泵缩小到微米等级，因此如何将泵缩小到微米等级并且将其完成为本案所欲发明的主要课题。

发明内容

本案的主要目的是提供一种微流体致动器的制造方法，以1P6M或2P4M制程制造，微流体致动器使用半导体薄膜制作，用以传输流体。因此，将薄膜腔体的深度控制在非常浅的范围时，仍可增加微流体致动器作动时的流体压缩比。

本案的一广义实施态样为一种微流体致动器的制造方法，包含以下步骤：提供一基板，该基板为一完成1P6M/2P4M制程的基板；沉积一第一保护层于该基板的一第一表面上；沉积一致动区于该第一保护层上，该致动区更包含：依序沉积一下电极层、沉积一压电致动层以及沉积一上电极层；以及通过光刻干式蚀刻部分该第一保护层，产出至少一第一保护层流道。

附图说明

图1A至图1C为本案微流体致动器的制造方法的流程示意图。

图2A至图2B为本案微流体致动器的下阀区与上阀区的不同态样示意图。

图3A至图3C为本案微流体致动器的致动区与主要区的不同态样正视图。

图4A至图4G为本案微流体致动器的第一实施例的制造方法示意图。

图4H为本案微流体致动器的第一实施例的不同态样示意图。

图5A至图5F为本案微流体致动器的第二实施例的制造方法示意图。

图5G及图5H为本案微流体致动器的第二实施例的不同态样示意图。

图6A至图6G为本案微流体致动器的第三实施例的制造方法示意图。

图6H为本案微流体致动器的第三实施例的不同态样示意图。

附图标记说明

101、102、201、202、203、301、302：微流体致动器

10：下阀区

11：下部干膜层

111A、111B：下部干膜流道区

12：下部阀层

121：下阀盖

13：下部阀孔层

131：下阀通道

20A、20B、20C：主要区

21：基板

211A、211B：基板硅流道

22：二氧化硅层

221A、221B：二氧化硅流道

23A、23B：第一多晶硅层

23C：POP结构

2311：第一多晶硅震动区

2312A、2312B：第一多晶硅流道区

2321：第一多晶硅