[发明专利]一种新型低维钙钛矿薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种低维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)钙钛矿薄膜的制备

手套箱中在衬底上旋涂含Pb⁺前驱体溶液，退火处理，即可在衬底表面制备得到钙钛矿薄膜；所述含Pb⁺前驱体溶液按以下方式制备而来：

将碘丙胺(PAI)、PbI₂溶于有机溶剂中，震荡溶解均匀，经过滤后即可得到含Pb⁺前驱体溶液；所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)或二者的混合；

2)(PA)₂(FA)_n-1Pb_nI_3n+1低维钙钛矿薄膜的制备

将所得钙钛矿薄膜放置到常温后旋涂FAI前驱体溶液，退火处理，得到(PA)₂(FA)_n-1Pb_nI_3n+1低维钙钛矿薄膜，其中n为无机层层数，n＝1、2、3、4或5；

所述碘甲脒(FAI)前驱体溶液按以下方式制备而来：

将FAI与异丙醇(IPA)混合，震荡溶解均匀，即可得到FAI前驱体溶液。

2.如权利要求1所述低维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于所述衬底为FTO、ITO、FTO/TiO₂或FTO/SnO₂。

3.如权利要求1所述低维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于步骤1中PAI与PbI₂的摩尔比为2:n，其中n＝1、2、3、4或5。

4.如权利要求1所述低维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于所述含Pb⁺前驱体溶液中Pb⁺浓度为0.8～1mol/L。

5.如权利要求1所述低维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于所述FAI前驱体溶液中FAI浓度为10～100mg/ml。

6.如权利要求1所述低维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于步骤1旋涂工艺参数为：取20～40μL含Pb⁺前驱体溶液涂覆在衬底表面，旋涂速率为2000～5000rpm，旋涂时间为20～60s。

7.如权利要求1所述低维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于步骤2旋涂工艺参数为：取60～150μL FAI前驱体溶液在旋涂开始5～10s后快速涂覆在衬底表面，旋涂速率为2000～5000rpm，旋涂时间为20～60s。

8.如权利要求1所述低维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于所述退火处理温度为0～150℃，退火时间为10～30min。