[发明专利]超重掺红磷衬底外延方法

权利要求书

1.一种超重掺红磷衬底外延方法，其特征在于包括以下步骤：

在超重掺红磷衬底上成长超过需要厚度的本征硅层以吸收气相中的杂质，刻蚀本征硅层至需要的厚度，

在本征硅层上进行外延。

2.如权利要求1所述的超重掺红磷衬底外延方法，其特征在于所述的超重掺红磷衬底的电阻率≤1.0mohm-cm。

3.如权利要求1所述的超重掺红磷衬底外延方法，其特征在于本征硅层需要的厚度与衬底的厚度呈正相关。

4.如权利要求1所述的超重掺红磷衬底外延方法，其特征在于本征硅层超过的厚度与衬底的厚度呈正相关。

5.如权利要求4所述的超重掺红磷衬底外延方法，其特征在于本征硅层超过的厚度不高于衬底的厚度的20％。

6.如权利要求5所述的超重掺红磷衬底外延方法，其特征在于本征硅层超过的厚度不高于衬底的厚度的10％。

7.如权利要求1所述的超重掺红磷衬底外延方法，其特征在于本征硅层的成长速率为2.0±0.1μm/min。

8.如权利要求1所述的超重掺红磷衬底外延方法，其特征在于在成长所述的本征硅层之前还对衬底进行烘烤。

9.如权利要求1所述的超重掺红磷衬底外延方法，其特征在于进行所述的刻蚀后先进行清洗再进行所述的外延。

10.如权利要求1所述的超重掺红磷衬底外延方法，其特征在于：所述本征硅层由三氯硅烷与氢气反应生成。