[发明专利]上电极中置电极对角分布垂直腔面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 202010189149.4 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN111370994B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 晏长岭;逄超;杨静航;冯源;郝永芹;张剑家 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/187;H01S5/30 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 对角 分布 垂直 发射 半导体激光器 | ||
1.一种上电极中置电极对角分布垂直腔面发射半导体激光器，自上而下依次是上电极(1)、欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)、氧化物限制层(4)、有源增益区(5)、下分布布拉格反射镜(6)、衬底(7)；欧姆接触层(2)、上分布布拉格反射镜(3)、有源增益区(5)层叠在一起构成一个中空的柱体，圆柱形齐顶高阻区(9)位于该柱体的中空部分，遮挡成形层(10)位于齐顶高阻区(9)的顶面上；其特征在于，所述的中空的柱体包括两部分，一部分是内含齐顶高阻区(9)的圆环柱体，该圆环柱体的轴线与圆柱形齐顶高阻区(9)的轴线重合，另一部分是自所述圆环柱体侧面任意处拓展出去的螺旋线柱体，该螺旋线柱体的螺旋线极坐标方程为其中初始极半径ρ0在115μm～200μm范围内确定，形变因子ε在0.5～3.0范围内确定，极角在范围内确定；上电极(1)位于所述螺旋线柱体的上表面上，由螺旋线一段圆弧线和一段直线围合而成；中置电极(8)位于下分布布拉格反射镜(6)的内镜面上，且位于所述中空的柱体之外，中置电极(8)的形状与上电极(1)的形状相同；上电极(1)与中置电极(8)以上电极(1)的几何中心与中置电极(8)的几何中心的连线与所述圆环柱体轴线的交点O'为对称中心呈点对称分布。
2.根据权利要求1所述的上电极中置电极对角分布垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，上电极(1)、中置电极(8)以及遮挡成形层(10)的材料相同，均为Ti/Pt/Au或者Ni/Ge/Au。
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