[发明专利]检查用基板和检查方法

说明书

提供检查用基板和检查方法，用于对激光束的漏光进行检查，以便定量地评价漏光所到达的区域。该检查用基板用于对激光束的漏光进行检查，其中，该检查用基板具有：供具有透过检查用基板的波长的激光束照射的一个面；与一个面相反的一侧的另一个面；设置于另一个面上的间隔道；多条第1检查用布线，它们在另一个面上分别沿着间隔道配置于距离间隔道不同的距离处；以及多个第1电极垫，它们在另一个面上在多条第1检查用布线上分别设置两个以上，并在多条第1检查用布线上分别在沿着间隔道的方向上分开而配置。

技术领域

本发明涉及用于对利用激光束来加工被加工物时所产生的激光束的漏光进行检查的检查用基板以及使用该检查用基板对激光束的漏光进行检查的检查方法。

背景技术

已知有在由呈格子状配置的多条分割预定线(即间隔道)划分的各区域内形成有半导体器件的圆盘状的晶片。为了将晶片沿着间隔道进行分割而制造半导体芯片，例如使用激光加工装置。

例如使用激光加工装置按照将对于晶片具有透过性的波长的脉冲状的激光束的聚光点定位于晶片的内部的方式沿着晶片的正面侧的间隔道从晶片的背面侧照射激光束。由此，在聚光点附近产生多光子吸收，沿着间隔道形成机械强度降低的改质层。然后，对晶片施加外力，从而以改质层为起点而沿着间隔道将晶片分割。

在形成改质层时，通常在晶片的不同的深度位置形成多个改质层。例如将聚光点的深度位置定位于晶片的正面侧的规定的深度位置，沿着一条间隔道照射激光束。通过沿着间隔道进行一次激光束照射(即第1通行的激光束的照射)，从而形成第1层改质层。

然后，在将聚光点的深度位置向背面侧移动规定的距离之后，再次沿着相同的间隔道进行一次激光束照射(即第2通行的激光束的照射)，从而形成第2层改质层。同样地，反复进行将聚光点的深度位置向背面侧移动规定的距离以及激光束的照射，在晶片的内部形成多个(例如2～5个)改质层。

在形成改质层时，激光束主要在被定位于规定的深度的聚光点处被晶片吸收，但有时激光束的一部分被位于比规定的深度位置靠正面侧的改质层及从改质层延伸的裂纹等折射或反射。

假如激光束的一部分被折射或反射而成为漏光(即，超过作为目标的照射区域即间隔道而到达半导体器件的光)时，有时漏光到达形成于由多条间隔道划分的晶片的正面侧的各区域的半导体器件。在该情况下，担心半导体器件被漏光损伤。因此，需要按照漏光不到达半导体器件的方式选定激光束的照射条件(即激光加工条件)。

因此，已知有如下的方法：在晶片的正面侧形成由锡(Sn)或油性墨等形成的包覆层之后，从晶片的背面侧照射激光束，确认到达晶片的正面侧的漏光(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2017-216413号公报

但是，在专利文献1所记载的方法中，只不过能观察到包覆层中的由于激光束的到达而变质的区域，并不存在定量地评价漏光所到达的区域的方法。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供检查用基板，其用于对激光束的漏光进行检查，以便定量地评价漏光所到达的区域。

根据本发明的一个方式，提供检查用基板，其用于对激光束的漏光进行检查，其中，该检查用基板具有：供具有透过该检查用基板的波长的该激光束照射的一个面；与该一个面相反的一侧的另一个面；设定于该另一个面上的间隔道；多条第1检查用布线，它们在该另一个面上分别沿着该间隔道配置于距离该间隔道不同的距离处；以及多个第1电极垫，它们在该另一个面上在该多条第1检查用布线上分别设置两个以上，并在该多条第1检查用布线上分别在沿着该间隔道的方向上分开而配置。优选检查用基板还具有多条第2检查用布线，该多条第2检查用布线在该另一个面上沿着该间隔道与该多条第1检查用布线分开，并且分别沿着该间隔道配置于距离该间隔道不同的距离处。