[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示面板有效
| 申请号: | 202010184870.4 | 申请日: | 2020-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN111240115B | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
| 发明(设计)人: | 杨珊珊;魏明贺 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
| 地址: | 215301 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 液晶显示 面板 | ||
一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示面板,其中薄膜晶体管阵列基板包括:衬底、栅极、与栅极连接的扫描线、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极、第一绝缘层、公共电极层、第二绝缘层、像素电极层和数据线;公共电极层设有对应于源极和漏极设置的通孔,像素电极层通过第一接触孔与源极电性连接,该第一接触孔贯穿第二绝缘层和第一绝缘层;数据线通过第二接触孔与漏极电性连接,第二接触孔贯穿第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层;本发明中源极、漏极和数据线堆叠设置,进而连接源极和像素电极的第一接触孔、连接数据线和漏极的第二接触孔也与数据线堆叠设置,增大了开口区沿扫描线延伸方向的宽度,增大了开口率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和液晶显示面板。
背景技术
目前,高清显示装置(HD,High Definition)和全高清显示装置(FHD,Full HighDefinition)越来越受到人们的欢迎,高分辨率高穿透率的液晶显示面板(LCD,LiquidCrystal Display)更是一个趋势。
图1是现有技术中一种薄膜晶体管阵列基板的局部平面结构示意图,该薄膜晶体管阵列基板包括多条扫描线101、多条数据线102以及由该多条扫描线101和该多条数据线102交叉限定构成的多个像素单元。像素单元设有与扫描线101连接的栅极、位于栅极上方的有源层103、分别与有源层103接触的源极104和漏极105以及一像素电极106。由于源极104和像素电极106之间夹置有一层或多层绝缘层,需要在绝缘层上刻蚀形成接触孔107以使得像素电极106填入接触孔107中并与源极104电性连接,并且为了像素电极106和源极104之间的连接足够可靠,接触孔107需要占据一定的面积,进而源极104也需要设计得较大与填入接触孔107的像素电极106稳固地电连接,彩膜基板上的黑矩阵也需要相应制作成与源极104面积匹配的大小以将源极104遮挡住,导致最终制作形成的液晶显示面板内像素单元的开口率较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示面板,解决了液晶显示面板内像素单元的开口率较低问题,进而降低产品功耗。
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板,该薄膜晶体管阵列基板包括:
衬底;
位于所述衬底上的第一金属层;所述第一金属层包括栅极和与所述栅极连接的扫描线;
覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层;
位于所述栅极绝缘层上的有源层;
位于所述栅极绝缘层上的第二金属层;所述第二金属层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极分别与所述有源层接触;
覆盖所述第二金属层的第一绝缘层;
位于所述第一绝缘层上的公共电极层;所述公共电极层设有对应于所述源极和所述漏极设置的通孔,所述通孔暴露出覆盖在所述源极和所述漏极上方的所述第一绝缘层;
覆盖所述公共电极层和所述第一绝缘层的第二绝缘层;
位于所述第二绝缘层上的像素电极层;所述像素电极层通过第一接触孔与所述源极电性连接,所述第一接触孔贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层;
覆盖所述像素电极层和所述第二绝缘层的第三绝缘层;
位于所述第三绝缘层上的第三金属层;所述第三金属层包括数据线,所述数据线通过第二接触孔与所述漏极电性连接,所述第二接触孔贯穿所述第三绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层。
进一步地,所述第一接触孔和所述第二接触孔在所述数据线的延伸方向上依次设置。
进一步地,所述数据线在所述衬底上的投影覆盖所述第一接触孔。
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