[发明专利]一种CsPbCl3

权利要求书

1.一种CsPbCl₃单晶的制备方法，其特征在于，包括：

分别配制第一温度下的PbCl₂的水溶液和CsCl的水溶液，所述第一温度大于室温；

将所述PbCl₂的水溶液与所述CsCl的水溶液混合得到生长溶液，其中，PbCl₂与CsCl的摩尔比小于或等于1:6；

将预处理后的表面平整的衬底插入所述生长溶液中，按照预设降温程序对所述生长溶液进行降温，以在所述衬底表面上生长CsPbCl₃单晶；

其中，所述衬底相对于水平面的插入角度在45-70度范围内。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，PbCl₂与CsCl的摩尔比在1:9至1:6范围内。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述PbCl₂的水溶液的浓度在0.09-0.25mmol/ml范围内；

所述CsCl的水溶液的溶度在1.6-7.0mmol/ml范围内。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过以下方式配制PbCl₂的水溶液：

按照所需的配制浓度将PbCl₂加入去离子水中得到第一水溶液，并在所述第一温度下搅拌预设时间；

其中，按照所述第一水溶液与饱和浓盐酸的指定体积比，每间隔指定时长向所述第一水溶液中加入饱和浓盐酸。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述按照预设降温程序对所述生长溶液进行降温的步骤，包括：

在第一降温速率下将所述生长溶液从所述第一温度降温到第二温度，所述第二温度小于所述第一温度且大于室温；

在第二降温速率下将所述生长溶液从所述第二温度降温到室温，所述第二降温速率大于所述第一降温速率。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度在80-90℃范围内，所述第二温度在65-75℃范围内，所述第一降温速率在0.7-1.2℃/h范围内，所述第二降温速率在2.0-2.5℃/h范围内。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述按照预设降温程序对所述生长溶液进行降温的步骤，包括：

以第三降温速率将所述生长溶液从所述第一温度匀速降温至室温，其中，所述第一温度在80-90℃范围内，所述第三降温速率在0.7-2.0℃/h范围内。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底相对于水平面的插入角度为60度。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底表面上生长CsPbCl₃单晶之后，还包括：

取出生长有CsPbCl₃单晶的所述衬底，并对所述衬底上的CsPbCl₃单晶进行清洗；

在指定温度下对所述衬底上的CsPbCl₃单晶进行退火处理，所述指定温度在220-260℃范围内。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底的预处理包括：

以指定溶剂对所述衬底进行超声清洗，所述指定溶剂包括洗洁精、水、丙酮、乙醇中的至少之一；

对清洗后的所述衬底进行烘干。