[发明专利]一种工作于66～83GHz的CMOS毫米波宽带低噪声放大器

权利要求书

1.一种工作于66~83 GHz的CMOS毫米波宽带低噪声放大器，其特征在于，该毫米波宽带低噪声放大器包括输入变压器TF₁、第一级共源放大电路CS₁、第一级间变压器TF₂、第二级共源放大电路CS₂、第二级间变压器TF₃、第三极共源放大电路CS₃和输出变压器TF₄，所述输入变压器TF₁包括初级线圈Bp、第一次级线圈Bg和第二次级线圈Bs；第一级共源放大电路CS₁包括第一晶体管M1、和第二晶体管M2；第一级间变压器TF₂包括初级线圈和次级线圈；第二级共源放大电路CS₂包括第三晶体管M3、第四晶体管M4、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1及第二电容C2；第二级间变压器TF₃包括初级线圈和次级线圈；第三级共源放大电路CS₃包括第五晶体管M5、第六晶体管M6、第三电阻R3、第四电阻R4、第三电容C3及第四电容C4；输出变压器TF₄包括初级线圈和次级线圈，其具体连接方式为：

射频输入信号RFin与输入变压器TF₁初级线圈Bp一端相连，输入变压器TF1初级线圈Bp的另一端接地；输入变压器TF₁第一次级线圈Bg的几何中心位置与第一偏置电压 V_b1相连，输入变压器TF₁第一次级线圈Bg的一端与第一晶体管M1的栅极相连，输入变压器TF₁第一次级线圈Bg的另一端与第二晶体管M2的栅极相连，输入变压器TF₁第二次级线圈Bs的几何中心位置接地，输入变压器TF₁第二次级线圈Bs的一端与第一晶体管M1的源极相连，输入变压器TF₁第二次级线圈Bs的另一端与第二晶体管M2的源极相连；

第一晶体管M1的漏极与第一级间变压器TF2初级线圈的一端相连，第一级间变压器TF2初级线圈的另一端与第二晶体管M2的漏极相连；第一级间变压器TF2初级线圈的几何中心位置与电源电压AVDD相连；第一级间变压器TF2次级线圈一端与第三晶体管M3的栅极相连，第一级间变压器TF2次级线圈另一端与第四晶体管M4的栅极相连；第三晶体管M3的栅极与第一电容C1的一端相连，第一电容C1的另一端与第四晶体管M4的漏极相连；第四晶体管M4的栅极与第二电容C2的一端相连，第二电容C2的另一端与第三晶体管M3的漏极相连；第三晶体管M3栅极与第一电阻R1的一端相连，第一电阻R1的另一端与第二级直流偏置V_b2相连，第四晶体管M4栅极与第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端与第二级直流偏置V_b2相连；

第三晶体管M3的漏极与第二级间变压器TF3初级线圈的一端相连，第二级间变压器TF3初级线圈的另一端与第四晶体管M4的漏极相连；第二级间变压器TF3初级线圈的几何中心位置与电源电压AVDD相连；第二级间变压器TF3次级线圈一端与第五晶体管M5的栅极相连，第二级间变压器TF3次级线圈另一端与第六晶体管M6的栅极相连；第五晶体管M5的栅极与第三电容C3的一端相连，第三电容C3的另一端与第六晶体管M6的漏极相连；第五晶体管M5的漏极与第四电容C4的一端相连，第四电容C4的另一端与第六晶体管M6的栅极相连；第五晶体管M5栅极与第三电阻R3的一端相连，第三电阻R3的另一端与第三级直流偏置V_b3相连，第六晶体管M6栅极与第四电阻R4的一端相连，第四电阻R4的另一端与第三级直流偏置V_b3相连；

第五晶体管M5漏极与输出变压器TF₄的初级线圈一端相连，输出变压器TF₄的初级线圈的另一端与第六晶体管M6漏极相连，输出变压器TF₄的初级线圈几何中心位置与电源电压AVDD相连，输出变压器TF₄次级线圈的一端与射频输出信号RFout相连，输出变压器TF₄次级线圈的另一端接地。