[发明专利]基于无铅卤化物钙钛矿的气体传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010180905.7 申请日: 2020-03-16
公开(公告)号: CN111323457B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 何邕;孙霞;唐孝生;杨洁;郭学政;伍志林 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 代理人: 李鹏
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 基于 卤化物 钙钛矿 气体 传感器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.基于无铅卤化物钙钛矿的气体传感器的制备方法,其特征在于,各物料按照以下用量的比例,包括以下步骤:

(1)将1 mmol CsI和2 mmol CuI溶于1mL N,N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶剂中,在60℃下于手套箱中真空条件下搅拌1小时制得CsCu2I3前驱体溶液;

(2)将100μL前驱体溶液以3000 rpm的速度旋涂到清洁的金叉指电极上来形成CsCu2I3薄膜,并在最后5 s将100μL乙酸甲酯滴在旋转的金叉指电极中央;

(3)将薄膜在真空的手套箱中于100℃退火1小时以蒸发残留的溶剂并促进结晶从而制成CsCu2I3气体传感器。

2.根据权利要求1所述的基于无铅卤化物钙钛矿的气体传感器的制备方法,其特征在于,步骤(1)混合溶剂中,N,N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的体积比= 4:1。

3.基于无铅卤化物钙钛矿的气体传感器,其特征在于,根据权利要求1或2所述的制备方法所得。

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