[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的设备

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

交替堆叠在衬底上的多个栅电极和多个层间绝缘层；

多个沟道结构，所述多个沟道结构在第一方向上彼此间隔开并竖直地穿过所述多个栅电极和所述多个层间绝缘层延伸到所述衬底；以及

第一分隔区域，所述第一分隔区域竖直地延伸穿过所述多个栅电极和所述多个层间绝缘层，

其中，所述多个栅电极中的每个栅电极包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层设置在所述第二导电层与所述多个层间绝缘层中的两个相邻的层间绝缘层中的每个层间绝缘层之间，并且

在所述多个栅电极中的每个栅电极的位于所述多个沟道结构中的与所述第一分隔区域相邻的最外面的沟道结构与所述第一分隔区域之间的第一区域中，所述第一导电层的厚度朝向所述第一分隔区域减小，并且所述第二导电层的厚度朝向所述第一分隔区域增大。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一导电层与所述第二导电层之间的界面在所述第一区域中相对于所述第一方向倾斜。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第一导电层与所述第二导电层之间的所述界面在所述多个栅电极中的每个栅电极的位于所述多个沟道结构中的两个相邻的沟道结构之间的第二区域中基本上平行于所述第一方向。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一导电层还设置在所述第二导电层与所述多个沟道结构中的每个沟道结构的侧壁之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一导电层包括位于所述两个相邻的层间绝缘层中的每个层间绝缘层上的第一成核层以及堆叠在所述第一成核层上的第一主体层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，所述第二导电层包括与所述第一导电层接触的第二成核层和堆叠在所述第二成核层上的第二主体层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述第一成核层和所述第二成核层均具有非晶结构，并且所述第一主体层和所述第二主体层均具有晶体结构。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

栅极介电层，所述栅极介电层设置在所述沟道结构与所述栅电极之间，

其中，所述栅极介电层在所述层间绝缘层与所述第一导电层之间延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述第二导电层在与所述第一导电层的边缘部分相邻的区域中与所述栅极介电层接触。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一区域中的所述第一导电层的厚度在0.1nm至3nm的范围内，所述第一区域中的所述第二导电层的厚度在10nm至30nm的范围内。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一分隔区域包括连接到所述衬底的源极导电层以及设置在所述源极导电层与所述多个栅电极中的每个栅电极之间的源极绝缘层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，

其中，所述源极绝缘层包括多个突起，每个所述突起设置在所述多个层间绝缘层中的两个相邻的层间绝缘层之间。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

第二分隔区域，所述第二分隔区域在所述第一方向上与所述第一分隔区域间隔开，

其中，在所述第一分隔区域与所述第二分隔区域之间，所述第一导电层的形状与所述第二导电层的形状在第一方向上基本上对称。