[发明专利]一种含Boost电路的超稀疏矩阵变换器在审

专利信息
申请号: 202010176863.X 申请日: 2020-03-13
公开(公告)号: CN111342678A 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 李圣清;张恒 申请(专利权)人: 湖南工业大学
主分类号: H02M5/458 分类号: H02M5/458;H02M7/219;H02M7/5387;H02M3/155
代理公司: 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 代理人: 符继超
地址: 412000 *** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 boost 电路 稀疏 矩阵 变换器
【权利要求书】:

1.一种含Boost电路的超稀疏矩阵变换器,其特征在于,包括:输入滤波电路、整流级电路、Boost升压电路和逆变级电路;所述输入滤波电路连接交流电源,输出滤波电压传输至所述整流级电路;所述整流级电路接收所述滤波电压,输出整流电压并传输至所述Boost升压电路;所述Boost升压电路接收所述整流电压,输出升压电压并传输至所述逆变级电路;所述逆变级电路接收所述升压电压,输出逆变电压。

2.根据权利要求1所述的一种含Boost电路的超稀疏矩阵变换器,其特征在于,所述输入滤波电路包括三路滤波支路,每一路所述滤波支路由电感和电容构成。

3.根据权利要求2所述的一种含Boost电路的超稀疏矩阵变换器,其特征在于,所述整流级电路包括三相桥臂,每一相所述桥臂输入连接一路所述滤波支路,每一相所述桥臂由IGBT和四个二极管组成,将所述滤波电压转换成直流电压,输出所述整流电压。

4.根据权利要求3所述的一种含Boost电路的超稀疏矩阵变换器,其特征在于,所述Boost升压电路包括开关器件、所述二极管、所述电感、所述电容和负载电阻,所述整流电压通过所述电感传输至所述二极管和所述开关器件,所述电容和所述负载电阻并联,两端的并联连接点连接在所述二极管和所述开关器件之间,所述负载电阻两端输出所述升压电压;当所述开关器件导通时,输入所述整流电压给所述电感充电,所述电感储存电能,稳定时在所述电感上有恒定的电流,且所述二极管反向截止,所述负载电阻由所述电容供电,输出所述升压电压恒定;当所述开关器件处于关断状态,所述电感上产生感生电动势,所述电感上的电流不能突变,所述电感的磁能转化成电感电压并与所述整流电压串联,为所述电容和所述负载电阻供电,通过调整开关器件占空比调节所述Boost升压电路输出的所述升压电压的电压传输比。

5.根据权利要求4所述的一种含Boost电路的超稀疏矩阵变换器,其特征在于,所述逆变级电路为两电平逆变器,连接在所述负载电阻两端,输出三相所述逆变电压。

6.根据权利要求4所述的一种含Boost电路的超稀疏矩阵变换器,其特征在于,所述Boost升压电路的电感参数为其中U0为所述升压电压;D为所述开关器件占空比;I0为输入电流;f为开关频率;

电容参数为其中,Ts为脉冲周期,ΔUo为纹波电压;

设所述开关器件占空比为ton为脉冲高电平,则所述Boost升压电路的升压比为:

其中Udc为所述整流电压。

7.根据权利要求6所述的一种含Boost电路的超稀疏矩阵变换器,其特征在于,在所述整流级电路采用SVPWM调制策略,获得所述变换器的传输比为其中,为输出功率因数;其中,Uom为输入电压幅值,为输入电流位移因数。

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