[发明专利]利用等离子体合成的纳米硫化铜粉末的合成方法有效
申请号: | 202010176820.1 | 申请日: | 2020-03-13 |
公开(公告)号: | CN111689513B | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 金秀宪;黄棕炫;姜信赫 | 申请(专利权)人: | 可隆科技特有限公司 |
主分类号: | C01G3/12 | 分类号: | C01G3/12;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 韩国首尔特别市江*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 等离子体 合成 纳米 硫化铜 粉末 方法 | ||
1.一种利用等离子体合成的纳米硫化铜粉末的合成方法,其特征在于,
包括:
向等离子体装置投入具有30nm至53000nm的粒度的硫化铜化合物的步骤;
相对于总100重量百分比的上述硫化铜化合物,以1kg/hr至5kg/hr的注入速度进一步投入5重量百分比至30重量百分比的硫的步骤;以及
将所述硫化铜化合物和硫进行等离子体处理来合成纳米硫化铜粉末的步骤,
合成的上述纳米硫化铜粉末具有50nm至900nm的粒度。
2.根据权利要求1所述的利用等离子体合成的纳米硫化铜粉末的合成方法,其特征在于,所述等离子体处理在等离子体功率为10kW至50kW、压力为130Torr至500Torr、或者气体流量为80LPM至200LPM条件下进行。
3.根据权利要求1所述的利用等离子体合成的纳米硫化铜粉末的合成方法,其特征在于,所述等离子体处理时的等离子体温度为5000℃至10000℃。
4.根据权利要求1所述的利用等离子体合成的纳米硫化铜粉末的合成方法,其特征在于,合成的纳米硫化铜粉末为六边形形态。
5.根据权利要求1所述的利用等离子体合成的纳米硫化铜粉末的合成方法,其特征在于,合成的纳米硫化铜粉末中氧的含量小于5重量百分比。
6.一种包括纳米硫化铜粉末的抗菌产品,其特征在于,所述纳米硫化铜粉末通过权利要求1至5中任一项所述的利用等离子体合成的纳米硫化铜粉末的合成方法制造而成。
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