[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有待处理结构，所述基底包括待处理图形区，部分所述待处理结构位于所述待处理图形区内，其中，所述待处理图形区的长度方向为所述待处理结构的延伸方向；

在沿所述待处理图形区的长度方向上，去除所述待处理图形区两端的待处理结构，以所述待处理图形区内剩余的待处理结构作为中间结构；

去除所述中间结构，以所述基底上剩余的待处理结构为目标结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述待处理图形区两端的待处理结构步骤具体为，去除所述待处理图形区两端的第一待处理图形区和第二待处理图形区内的待处理结构，其中，在沿所述待处理图形区的宽度方向上，所述第一待处理图形区和第二待处理图形区的宽度大于或等于所述待处理图形区的宽度。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在沿所述待处理图形区的长度方向上，所述第一待处理图形区和第二待处理图形区的长度相同。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待处理图形区为多个，所述第一待处理图形区和所述第二待处理图形区的长度小于或等于多个待处理图形区对应的长度的最小值的1/2。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述待处理图形区两端的第一待处理图形区和第二待处理图形区的待处理结构，包括：

在所述基底上形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露所述第一待处理图形区和所述第二待处理图形区，覆盖所述基底的其他区域；

以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀去除所述第一掩膜层暴露的待处理结构。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述第一待处理图形区和第二待处理图形区暴露的待处理结构。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述中间结构，包括：

在所述基底上形成图形化的第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露位于所述中间结构，覆盖所述基底的其他区域；

以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀去除所述中间结构。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的鳍部材料层，所述待处理结构形成于所述鳍部材料层上。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待处理结构和所述鳍部材料层的选择刻蚀比大于或等于10。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用自对准四重图形化工艺在基底上形成所述待处理结构。

11.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待处理结构的材料为无定型锗、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅中的一种或多种。

12.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除所述中间结构之后，还包括：

以所述目标结构为掩膜，刻蚀所述鳍部材料层，形成鳍部。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底为衬底，所述待处理结构为初始鳍部。