[发明专利]纳米复合多层氮化钛-锑信息功能薄膜及其制备方法在审
申请号: | 202010175129.1 | 申请日: | 2020-03-13 |
公开(公告)号: | CN111276607A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 吴卫华;朱小芹;郑龙 | 申请(专利权)人: | 江苏理工学院 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 杭行 |
地址: | 213011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 复合 多层 氮化 信息 功能 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种纳米复合多层氮化钛-锑信息功能薄膜,其特征在于,其总厚度为40-60 nm,结构通式为[TiN(a)/Sb(b)]n,其中,a和b分别表示单个周期中TiN薄膜和Sb薄膜的厚度,且1a25 nm,1b25 nm,n为纳米复合多层结构相变薄膜的总周期数,且1n25。
2.如权利要求1所述的纳米复合多层氮化钛-锑信息功能薄膜的制备方法,其特征在于,具体包括如下步骤:
1)清洗薄膜衬底基片;
2)安装好溅射靶材Sb和TiN,先后开启机械泵和分子泵抽真空;
3)设定溅射气体流量、腔内溅射气压、靶材的溅射功率;
4)采用室温磁控溅射方法制备[TiN(a)/Sb(b)]n纳米复合多层相变薄膜:
(a)将基片旋转到Sb靶位,开启Sb的溅射电源,按一定溅射速度开始溅射Sb薄膜,Sb薄膜溅射完成后,关闭Sb的直流溅射电源;
(b)将基片旋转到TiN靶位,开启TiN的溅射电源,按一定溅射速度开始溅射TiN薄膜,TiN薄膜溅射完成后,关闭TiN的直流溅射电源;
(c)重复上述(a)、(b)两步,直到完成纳米复合多层[TiN(a)/Sb(b)]n相变薄膜设定的周期数。
3.如权利要求2所述的纳米复合多层氮化钛-锑信息功能薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1)中具体的清洗薄膜衬底基片的过程为:
(a)将基片置于乙醇溶液中,用超声清洗10分钟,去基片表面灰尘颗粒以及无机杂质;
(b)将基片置于丙酮溶液中,用超声清洗10分钟,去基片表面有机杂质;
(c)将基片置于去离子水中,用超声清洗10分钟,再次清洗表面;
(d)取出基片,用高纯N2吹干表面和背面,放置在干燥箱内待用。
4.如权利要求2所述的纳米复合多层氮化钛-锑信息功能薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1)中所用薄膜衬底基片为SiO2/Si(100) 、石英或硅基片。
5.如权利要求2所述的纳米复合多层氮化钛-锑信息功能薄膜的制备方法,其特征在于,步骤2)中抽真空后真空度低于2×10-4Pa。
6.如权利要求2所述的纳米复合多层氮化钛-锑信息功能薄膜的制备方法,其特征在于,步骤3)中设置的直流电源溅射功率为15~50 W,溅射气体流量为25~50 SCCM,溅射气压为0.2~0.4 Pa。
7.如权利要求2所述的纳米复合多层氮化钛-锑信息功能薄膜的制备方法,其特征在于,制备该纳米复合多层氮化钛-锑信息功能薄膜时,调整包括TiN和Sb的厚度比和周期数在内的结构参数后,材料的相变性能得到相应的调控。
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