[发明专利]用于处理基板的装置和方法

说明书

本发明构思提供一种用于处理基板的装置和方法。所述装置包括：索引模块和处理模块，处理模块设置为邻接于所述索引模块并处理所述基板。所述索引模块包括：一个或多个装载端口，各装载端口上放置有载体，所述载体具有接收在其中的所述基板；侧存储器，其存储在所述处理模块中经受处理的所述基板，并清除所述基板上的烟雾；和传送框架，其包括索引机械手，所述索引机械手在放置在所述装载端口上的所述载体、所述侧存储器和所述处理模块之间传送所述基板。所述侧存储器包括：壳体，其具有内部空间；分隔单元，其将所述内部空间分隔成彼此独立的多个接收空间；和排气单元，其独立地且分别地排空所述多个接收空间。

相关技术的交叉引用

本申请要求于2019年03月13日提交韩国工业产权局、申请号为10-2019-0028919的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文中描述的本发明构思的实施方式涉及一种用于处理基板的装置和方法。

背景技术

为了制造半导体设备，执行例如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺、薄膜沉积工艺等不同工艺以在基板上形成图案。在这些工艺中，蚀刻工艺，离子注入工艺和薄膜沉积工艺在真空气氛中在基板上执行。当基板从真空气氛移至大气气氛并暴露于氧气时，在基板上形成颗粒和烟雾。因此，在基板处理工艺之后，在将基板存储在缓冲单元中的情况下，执行清除颗粒和烟雾的工艺。

缓冲单元包括具有内部空间的壳体。壳体的内部空间被设置为接收多个基板的空间。图1为示出了常规缓冲单元的立体图。参照图1，通过用气体填充壳体4的内部空间6、排空内部空间6并调节内部空间6中的温度，来清除残留在基板上的颗粒和烟雾。壳体4具有在垂直方向上延伸的容器的形状，并且基板接收在内部空间6中以布置在垂直方向上。

由于在其中同时接收多个基板的缓冲单元2的结构，提高了基板处理量。但是，根据基板的放置位置，会发生气体流速偏差和温度偏差。因此，清除颗粒和烟雾的效率可根据基板的位置而变化。

另外，在仅壳体4的内部空间6的一部分填充有基板的状态下、清除颗粒和烟雾的情况下，在接收基板的区域和不接收基板的区域之间存在较大差异。

发明内容

本发明构思的实施方案提供一种装置，该装置用于处理接收在壳体中的多个基板，而不具有根据位置的偏差。

本发明构思的实施方案提供一种用于处理基板的装置和方法。

根据一示例性实施方案，用于处理基板的装置包括：索引模块和处理模块，处理模块设置为邻接于所述索引模块并处理所述基板。所述索引模块包括：一个或多个装载端口，各装载端口上放置有载体，所述载体具有接收在其中的所述基板；侧存储器，其存储在所述处理模块中经受处理的所述基板，并清除所述基板上的烟雾；和传送框架，其具有安装在其中的索引机械手，其中所述索引机械手在放置在所述装载端口上的所述载体、所述侧存储器和所述处理模块之间传送所述基板。所述侧存储器包括：壳体，其具有内部空间；分隔单元，其将所述内部空间分隔成彼此独立的多个接收空间；和排气单元，其独立地且分别地排空所述多个接收空间。

所述分隔单元可设置为使得所述多个接收空间在彼此上方堆叠。

所述分隔单元可包括：分隔板，其分隔所述内部空间；和第一温度调节构件，其调节所述分隔板的温度。

所述侧存储器还可包括气体供应单元，该气体供应单元将气体供应至所述多个接收空间中，且所述气体供应单元可包括：气体供应管线，该气体供应管线连接至所述多个接收空间；和第二温度调节构件，其安装在所述气体供应管线上，以调节所述气体的温度。

所述装置还可包括控制器，所述控制器控制所述排气单元，且所述控制器可不同地调节从所述多个接收空间排放的气体的量。