[发明专利]一种SAR型ADC的增益误差的校准装置及其校准方法有效

专利信息
申请号: 202010172482.4 申请日: 2020-03-12
公开(公告)号: CN111181564B 公开(公告)日: 2023-02-21
发明(设计)人: 李婷;张先娆;徐晚成;吴龙胜 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: H03M1/38 分类号: H03M1/38
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 李红霖
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 sar adc 增益 误差 校准 装置 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种SAR型ADC的增益误差的校准装置,其特征在于,包括增益误差校准电容阵列(13)、增益误差校准极性控制开关(14)、增益误差校准精度控制开关阵列(15)、伪差分电容(16);

所述比较器(10)的负向输入端接有采样保持电容阵列(11),所述采样保持电容阵列(11)中的电容的另一端分别通过采样保持控制开关(12)与Vin或参考电压负n相连接;

所述校准电容阵列(13)通过校准极性控制开关(14)与所述比较器(10)的负向输入端或正向输入端相连接,所述校准电容阵列(13)中的电容的另一端通过采样保持控制开关(12)与增益误差校准精度控制开关(15)或参考电压负n相连接,所述增益误差校准精度控制开关(15)与Vin或参考电压负n相导通;

所述比较器(10)的正向输入端接有伪差分电容(16)。

2.根据权利要求1所述的SAR型ADC的增益误差的校准装置,其特征在于,所述伪差分电容(16)电容值与采样保持电容阵列(11)的电容值总和相等。

3.一种根据权利要求1或2所述的SAR型ADC的增益误差的校准装置的校准方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)在校准电容阵列(13)不参与校准时,采样保持电容阵列(11)经采样阶段和转换阶段,得到ADC的特征曲线;

2)判断ADC的增益误差的正负极性,若ADC的增益误差为正,将校准电容阵列(13)通过校准极性控制开关(14)接入所述比较器(10)的正向输入端;

若ADC的增益误差为负,将校准电容阵列(13)通过校准极性控制开关(14)接入所述比较器(10)的负向输入端;

3)将校准电容阵列(13)通过增益误差校准精度控制开关(15)接入Vin或参考电压负n,从而调节校准幅度。

4.根据权利要求3所述的校准方法,其特征在于,步骤1)的具体操作为:

在采样阶段,采样保持电容阵列(11)通过采样保持控制开关(12)接Vin,校准电容阵列(13)接入参考电压负n;

在转换阶段,采样保持电容阵列(11)通过采样保持控制开关(12)接参考电压负n,校准电容阵列(13)接入参考电压负n,ADC完成一次AD转换。

5.根据权利要求3所述的校准方法,其特征在于,步骤3)的具体操作为:在转换阶段,采样保持电容阵列(11)通过采样保持控制开关(12)接参考电压负n,校准电容阵列(13)接入参考电压负n;

在采样阶段,采样保持电容阵列(11)通过采样保持控制开关(12)接Vin,根据电容线性度误差,将校准电容阵列(13)中相应的电容接入Vin,实现预设误差值的校准。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安微电子技术研究所,未经西安微电子技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010172482.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top