[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202010172288.6 | 申请日: | 2020-03-12 |
公开(公告)号: | CN111370451A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 胡春静;侯文军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,该显示基板包括衬底基板以及形成于所述衬底基板之上的像素界定层,所述像素界定层包括与所述显示基板的亚像素区对应的开口区域以及限定所述开口区域的堤坝,所述堤坝包括沿所述衬底基板的第一方向延伸的第一边部以及沿所述衬底基板的第二方向延伸的第二边部,所述第一边部的高度低于所述第二边部的高度,所述第一边部两侧的相邻所述开口区域内的打印墨水在所述第一边部处均匀铺展;以解决限定层的开口区域内像素墨水攀爬的问题,从而增加显示装置发光的均匀性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode,简称:OLED)相对于液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。
OLED的成膜方式主要包括蒸镀制程或溶液制程。蒸镀制程在小尺寸应用较为成熟,目前该技术已经应用于量产中,但是该技术材料昂贵以及材料利用率较低,加大产品开发的成本。而溶液制程OLED成膜方式主要有喷墨打印、喷嘴涂覆、旋涂、丝网印刷等,其中喷墨打印技术由于其材料利用率较高、可以实现大尺寸化,被认为是大尺寸OLED实现量产的重要方式。
喷墨打印工艺需要预先在衬底基板的电极上制作像素界定层(PixelDefiningLayer,简称:PDL),以限定墨滴精确的流入指定的亚像素区。但是在喷墨打印时,会存在画面不均匀的现象。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,以解决限定层的开口区域内像素墨水攀爬的问题,从而增加显示装置发光的均匀性。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种显示基板,包括衬底基板以及形成于所述衬底基板之上的像素界定层,所述像素界定层包括与所述显示基板的亚像素区对应的开口区域以及限定所述开口区域的堤坝,所述堤坝包括沿所述衬底基板的第一方向延伸的第一边部以及沿所述衬底基板的第二方向延伸的第二边部,所述第一边部的高度低于所述第二边部的高度,所述第一边部两侧的相邻所述开口区域内的打印墨水在所述第一边部处均匀铺展。
可选地,所述第一边部包括第一侧壁、第一顶壁以及第一底壁,所述第一底壁形成于所述衬底基板上,所述第一侧壁与所述第一顶壁之间的夹角为钝角。
可选地,所述第二边部包括第二侧壁、第二顶壁以及第二底壁,所述第二底壁形成于所述衬底基板上,所述第二侧壁与所述第二顶壁之间的夹角为锐角。
可选地,所述像素界定层还包括将所述第一边部与所述第二边部连接的边角部。
可选地,所述边角部包括第三侧壁、第三顶壁以及第三底壁,所述第三底壁形成于所述衬底基板上,所述第三侧壁与所述第三顶壁之间的夹角为钝角。
可选地,所述边角部的高度与所述第二边部的高度相同。
可选地,所述第一边部两侧的相邻所述亚像素区的颜色相同。
可选地,所述堤坝限定的所述开口区域具有长边和短边,所述第一方向与所述开口区域短边的延伸方向平行,所述第二方向与所述开口区域长边的延伸方向平行。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括前述的显示基板。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法,包括:
在衬底基板之上形成第一像素界定材料层;
将所述第一像素界定材料层形成与所述显示基板的亚像素区对应的开口区域以及限定所述开口区域的堤坝,其中,所述堤坝包括沿所述衬底基板的第一方向延伸的第一边部以及沿所述衬底基板的第二方向延伸的第二边部,所述第一边部的高度低于所述第二边部的高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的