[发明专利]发射装置在审
申请号: | 202010172165.2 | 申请日: | 2020-03-12 |
公开(公告)号: | CN111697144A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | M·富塞拉;N·J·汤普森;J·J·布朗;迈克尔·S·韦弗 | 申请(专利权)人: | 环球展览公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 高敏 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 装置 | ||
1.一种装置,其包含:
第一电极;
第二电极;
发射堆叠,其包含安置于所述第一电极与所述第二电极之间的磷光发射材料;
其中所述磷光发射材料的瞬态激发态寿命不超过200ns。
2.根据权利要求1所述的装置,进一步包含:
增强层,其包含展现表面等离子体共振的等离子体材料。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述第一电极或所述第二电极包含所述增强层。
4.根据权利要求2所述的装置,其中所述磷光发射材料安置于所述增强层的不超过阈值距离内。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述阈值距离等于距所述增强层的距离,此时,所述磷光发射材料的总辐射衰减速率常数等于所述磷光发射材料的总非辐射衰减速率常数。
6.根据权利要求2所述的装置,其中所述增强层中的所述等离子体材料与所述磷光发射材料非辐射地耦合且将激发态能量从所述磷光发射材料转移到所述增强层的表面等离子体偏振子的非辐射模式。
7.根据权利要求2所述的装置,其中所述增强层使所述有机发射材料在第一光谱范围内的状态密度增加。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述第一光谱范围包含所述磷光发射材料的峰值发射波长。
9.根据权利要求2所述的装置,其中所述增强层包含选自由以下组成的群组的材料:Au、Ag、Mg、Al、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Ga、Rh、Ti、Ca、Ru、Pd、In、Bi、小有机分子、聚合物、SiO2、TiO2、Al2O3、绝缘氮化物、Si、Ge,和其堆叠或合金。
10.根据权利要求1所述的装置,其中所述磷光发射材料是有机材料。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述磷光材料包含含有金属的金属络合物,所述金属选自由以下组成的群组:Ru、Os、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag和Au。
12.根据权利要求1所述的装置,其中所述磷光发射材料包含通过状态混合和/或自旋轨道耦合而使衰减时间最小化的分子结构。
13.根据权利要求1所述的装置,其进一步包含与所述发射堆叠以堆叠方式安置的出耦层。
14.根据权利要求13所述的装置,其中所述第一电极或所述第二电极充当表面等离子体的出耦层。
15.根据权利要求13所述的装置,其中所述出耦层包含纳米粒子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择