[发明专利]包含重分布层的电源信号路由在审
申请号: | 202010171877.2 | 申请日: | 2020-03-12 |
公开(公告)号: | CN111755414A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 滨田和赖;田沼保彦 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L23/50 | 分类号: | H01L23/50;H01L23/485 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 分布 电源 信号 路由 | ||
1.一种半导体装置,其包括:
半导体衬底,包含晶体管电路系统;
重分布层,包括:
第一多边形结构,用于传送第一电源信号并且包含第一切口区域;
第二多边形结构,用于传送第二电源信号;以及
岛状多边形,用于传送第三电源信号并且位于所述第一切口区域内,其中所述岛状多边形不接触所述第一多边形结构;
第一布线层,包括一条或多条第一层信号迹线,用于传送所述第三电源信号;以及
多个第一层触点,将所述一条或多条第一层信号迹线耦合到所述岛状多边形。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一多边形结构和所述岛状多边形包含用于耦合到所述第一层触点的叉指指状物。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
所述第二多边形结构包含第二切口区域;并且
所述岛状多边形进一步位于所述第二切口区域内并且不接触所述第二多边形结构。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中:
所述第一多边形结构和所述岛状多边形包含用于耦合到第一组所述第一层触点的第一叉指指状物;并且
所述第二多边形结构和所述岛状多边形包含用于耦合到第二组所述第一层触点的第二叉指指状物。
5.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述岛状多边形通过所述第一多边形结构的第一叉指指状物和所述第二多边形结构的第二叉指指状物形成蛇形布置。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
所述第一布线层进一步包括多条第一层信号迹线,用于传送所述第一电源信号、所述第二电源信号以及所述第三电源信号中的每个;并且
所述半导体装置进一步包括第二布线层,包括:
多条第二层信号迹线,用于传送所述第一电源信号、所述第二电源信号以及所述第三电源信号中的每个;以及
多个第二层触点,将所述第一层信号迹线耦合到所述第二层信号迹线。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
所述第一电源信号包括较高的VDD信号;
所述第二电源信号包括VSS信号;并且
所述第三电源信号包括较低的VDD信号。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述晶体管电路系统包含:
第一开关电路,被配置用于将所述第一电源信号传递到工作电源信号;以及
第二开关电路,被配置用于将所述第三电源信号传递到所述工作电源信号。
9.根据权利要求8所述的半导体装置,其中所述工作电源信号包括用于驱动数据总线的缓冲器的VDD,并且所述第二电源信号包括用于驱动所述数据总线的所述缓冲器的VSS。
10.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一切口区域在所述第一多边形结构中形成空隙。
11.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一切口区域形成所述第一多边形结构的周边的变型。
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