[发明专利]带基材的烧结接合用片的卷绕体在审
申请号: | 202010171624.5 | 申请日: | 2020-03-12 |
公开(公告)号: | CN111690340A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 三田亮太;市川智昭 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C09J7/30 | 分类号: | C09J7/30;C09J9/02;C09J169/00;C09J11/06;H01L23/00;H01L23/488 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 烧结 接合 卷绕 | ||
提供在包含半导体芯片烧结接合部位的半导体装置的制造过程中实现良好的作业效率、并且兼具良好的保存稳定性和高保存效率的带基材的烧结接合用片的卷绕体。本发明的卷绕体(1)形成为带基材的烧结接合用片(X)相对于卷芯(2)被卷绕成卷状的形态,所述带基材的烧结接合用片(X)具有层叠结构,所述层叠结构包括:基材(11);烧结接合用片(10),其包含含有导电性金属的烧结性颗粒和粘结剂成分。
技术领域
本发明涉及能够用于半导体装置的制造等的、带基材的烧结接合用片的卷绕体。
背景技术
半导体装置的制造中,作为对于引线框、绝缘电路基板等支撑基板,将半导体芯片与支撑基板侧电连接的同时进行芯片接合的方法,已知:在支撑基板与芯片之间形成Au-Si共晶合金层来实现接合状态的方法;利用焊料、含有导电性颗粒的树脂作为接合材料的方法。
另一方面,承担电力的供给控制的功率半导体装置的普及近年来变得显著。功率半导体装置常常由于工作时的通电量大而放热量大。因此,功率半导体装置的制造中,关于将半导体芯片与支撑基板侧电连接的同时与支撑基板进行芯片接合的方法,要求在高温工作时也能够实现可靠性高的接合状态。采用SiC、GaN作为半导体材料从而实现了高温工作化的功率半导体装置中,这种要求特别强烈。而且,为了响应这样的要求,作为伴有电连接的芯片接合方法,提出了使用含有烧结性颗粒和溶剂等的烧结接合用的组合物的技术。
使用含有烧结性颗粒的烧结接合用材料进行的芯片接合中,首先,对于支撑基板的芯片接合预定部位,借助烧结接合用材料在规定的温度·载荷条件下载置半导体芯片。之后,以在支撑基板与其上的半导体芯片之间产生烧结接合用材料中的溶剂的挥发等且烧结性颗粒间进行烧结的方式,进行规定的温度·加压条件下的加热工序。由此,在支撑基板与半导体芯片之间形成烧结层,半导体芯片对支撑基板进行电连接的同时进行机械接合。这种技术例如记载于下述专利文献1、2。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-039580号公报
专利文献2:日本特开2014-111800号公报
发明内容
在要进行基于烧结接合的芯片接合的半导体装置制造过程中,以往,有时将含有烧结性颗粒的糊状组合物涂布于每个半导体芯片。但是,这种方法没有效率。
另一方面,要进行基于烧结接合的芯片接合的半导体装置制造过程中,为了对多个半导体芯片一次性供给烧结接合用材料,考虑例如经过如下那样的工艺。首先,在单面具有粘合面的加工用带和/或其粘合面上排列多个半导体芯片。接着,对加工用带上的半导体芯片阵列按压并贴合制作成了片形态的作为烧结接合用材料的带基材的烧结接合用片。接着,将烧结接合用片中被压接于半导体芯片的部位残留在该半导体芯片上,同时进行该片体的剥离。通过该片体的贴合和之后的剥离,进行烧结接合用材料从片体向各半导体芯片的转印(即,从基材剥离的烧结接合用片小片转移到半导体芯片上),由此得到带烧结接合用材料层的半导体芯片。根据这种方法,能够对多个半导体芯片一次性供给烧结接合用材料。
但是,上述的带基材的烧结接合用片由于具有单片状的形态,因此在向半导体芯片转印时需要1片1片地准备,存在输送性差的问题。另外,对半导体芯片阵列的定位需要规定至少两个方向,从作业效率的观点出发不优选。进而,采用单片状的形态时,在空气中的暴露面积变大,因此,这种烧结接合用片从保存稳定性的观点出发也是不优选的。进而,具有单片状形态的烧结接合用片成为在保存时体积大的原因,需要宽阔的保管场所,因此,从保存效率的观点出发不优选。
本发明是基于以上的情况构思的,其目的在于提供如下所述的带基材的烧结接合用片的卷绕体,其在包含半导体芯片烧结接合部位的半导体装置的制造过程中实现良好的作业效率,并且兼具良好的保存稳定性和高的保存效率。
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