[发明专利]一种应用于烧结炉温控系统的静电保护器件

权利要求书

1.一种应用于烧结炉温控系统的静电保护器件，其特征在于，包括P-SUB区(101)、BN+区(102)、HV-NWell区(103)、第一P-Well区(104)、N-Well区(105)、第二P-Well区(106)、第一P+注入区(107)、第一N+注入区(108)、第二P+注入区(109)、第三P+注入区(110)、第二N+注入区(111)、第四P+注入区(112)、第一场氧隔离区(201)、第二场氧隔离区(202)、第三场氧隔离区(203)、第四场氧隔离区(204)、第五场氧隔离区(205)、第六场氧隔离区(206)、第七场氧隔离区(207)、第一多晶硅虚设栅(208)和第二多晶硅虚设栅(209)；

所述BN+区(102)和HV-NWell区(103)设在所述P-SUB区(101)内，且所述HV-NWell区(103)位于所述BN+区(102)的上方；所述第一P-Well区(104)、所述N-Well区(105)和所述第二P-Well区(106)设置在所述HV-NWell区(103)中，且所述N-Well区(105)的两侧与所述第一P-Well区(104)、第二P-Well区(106)邻接；

所述第一场氧隔离区(201)、第一P+注入区(107)和第二场氧隔离区(202)、第一N+注入区(108)和第一多晶硅虚设栅(208)以左右连接的方式依次设置在所述第一P-Well区(104)的表面，所述第三场氧隔离区(203)位于第一多晶硅虚设栅(208)的下方，所述第二P+注入区(109)横跨所述第一P-Well区(104)和所述N-Well区(105)的表面区域，所述第一场氧隔离区(201)依次横跨所述P-SUB区(101)、HV-NWell区(103)和第一P-Well区(104)的一侧；

所述第二P+注入区(109)、第四场氧隔离区(204)和第三P+注入区(110)以左右连接的方式依次设置在所述N-Well区(105)的表面，且所述第三P+注入区(110)横跨所述第二P-Well区(106)和N-Well区(105)的表面区域；

所述第三P+注入区(110)、第二多晶硅虚设栅(209)、第二多晶硅虚设栅(209)、第六场氧隔离区(206)、所述第四P+注入区(112)和所述第七场氧隔离区(207)以左右连接的方式依次设置在所述第二P-Well区(106)的表面，所述第五场氧隔离区(205)设置在所述第二多晶硅虚设栅(209)的下方，所述第七场氧隔离区(207)的依次横跨第二P-Well区(106)、HV-NWell区(103)和P-SUB区(101)的另一侧；

所述第一P+注入区(107)与所述第一N+注入区(108)连接形成阳极，所述第二N+注入区(111)与所述第四P+注入区(112)连接形成阴极。

2.根据权利要求1所述的应用于烧结炉温控系统的静电保护器件，其特征在于，还包括第一金属层(210)、第二金属层(211)、第三金属层(212)、第四金属层(213)、第五金属层(301)和第六金属层(302)，所述第一金属层(210)的下侧与所述第一P+注入区(107)连接，上侧与所述第五金属层(301)的一侧连接，所述第二金属层(211)的下侧与所述第一N+注入区(108)连接，上侧与第五金属层(301)的另一侧连接；所述第四金属层(213)的下侧与所述第四P+注入区(112)连接，上侧与第六金属层(302)的一侧连接，所述第三金属层(212)的下侧与所述第二N+注入区(111)连接，上侧与所述第六金属层(302)的另一侧连接。

3.根据权利要求2所述的应用于烧结炉温控系统的静电保护器件，其特征在于，所述第一金属层(210)、第二金属层(211)、第三金属层(212)和第四金属层(213)位于同一金属层，所述第五金属层(301)和第六金属层(302)位于同一金属层。