[发明专利]磁头以及磁记录装置

权利要求书

1.一种磁头，具备：

磁极；

第1屏蔽件；

第1磁性层，其设置在所述磁极与所述第1屏蔽件之间；

第2磁性层，其设置在所述第1磁性层与所述第1屏蔽件之间；

第3磁性层，其设置在所述第2磁性层与所述第1屏蔽件之间；

第1中间层，其设置在所述磁极与所述第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种；

第2中间层，其设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种；

第3中间层，其设置在所述第2磁性层与所述第3磁性层之间，包含选自所述第1组的至少一种；以及

第4中间层，其设置在所述第3磁性层与所述第1屏蔽件之间，包含选自所述第2组的至少一种，

在包括所述第1磁性层、所述第2磁性层以及所述第3磁性层的层叠体中流动了具有从所述第1磁性层朝向所述第3磁性层的第1方向的第1电流时，所述层叠体具有第1电阻，

在所述层叠体中流动了具有所述第1方向的第2电流时，所述层叠体具有第2电阻，所述第2电流比所述第1电流大，

在所述层叠体中流动了具有所述第1方向的第3电流时，所述层叠体具有第3电阻，所述第3电流比所述第2电流大，

所述第2电阻比所述第1电阻高，且比所述第3电阻高。

2.根据权利要求1所述的磁头，

所述第1磁性层具有第1饱和磁通密度和沿着从所述磁极朝向所述第1屏蔽件的第1方向的第1厚度，

所述第2磁性层具有第2饱和磁通密度和沿着所述第1方向的第2厚度，

所述第1饱和磁通密度与所述第1厚度的第1积，比所述第2饱和磁通密度与所述第2厚度的第2积小。

3.根据权利要求2所述的磁头，

所述第3磁性层具有第3饱和磁通密度和沿着所述第1方向的第3厚度，

所述第1积比所述第3饱和磁通密度与所述第3厚度的第3积大。

4.根据权利要求1所述的磁头，

所述第1中间层与所述第1磁性层相接，

所述第2中间层与所述第1磁性层以及所述第2磁性层相接，

所述第3中间层与所述第2磁性层以及所述第3磁性层相接，

所述第4中间层与所述第3磁性层相接。

5.根据权利要求4所述的磁头，

所述第1中间层与所述磁极相接。

6.根据权利要求5所述的磁头，

所述第4中间层与所述第1屏蔽件相接。

7.一种磁记录装置，具备：

权利要求1所述的磁头；和

通过所述磁头被记录信息的磁记录介质。