[发明专利]半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

封装基底；

下部半导体芯片，位于所述封装基底上；

中间层，位于所述下部半导体芯片上，所述中间层包括彼此间隔开的多个片段；

上部半导体芯片，位于所述中间层上；以及

模制构件，覆盖所述下部半导体芯片及所述中间层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述中间层包括2N个片段，在平面图中，所述2N个片段以两侧对称结构排列，其中N是自然数。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述下部半导体芯片的上表面的一部分不与所述中间层重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，在平面图中，所述中间层的最外边缘延伸超过所述下部半导体芯片的边缘。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述下部半导体芯片及所述中间层中的每一者包括硅晶片作为基底。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述模制构件填充所述中间层的所述多个片段中的相邻的片段之间的空间，所述模制构件的热膨胀系数大于所述中间层的热膨胀系数。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述封装基底的热膨胀系数大于所述中间层的所述热膨胀系数。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：

所述中间层的上表面的一部分包括被所述模制构件暴露出的焊盘区，

所述中间层与所述上部半导体芯片通过所述焊盘区中的连接构件连接到彼此，且

所述上部半导体芯片与所述模制构件间隔开。

9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中：

所述上部半导体芯片中的其中排列有所述连接构件的端子区的数目等于所述中间层的所述多个片段的数目，且

所述端子区中的每一个端子区与所述中间层的所述多个片段中的对应的一个片段重叠。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述下部半导体芯片包括单个逻辑芯片，且所述上部半导体芯片包括由多个存储芯片形成的堆叠。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述模制构件包括：

第一模制构件，填充所述中间层的所述多个片段之间的空间；以及

第二模制构件，覆盖所述下部半导体芯片、所述中间层及所述第一模制构件，其中所述第一模制构件的热膨胀系数大于所述第二模制构件的热膨胀系数。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述第一模制构件包括金属材料，且绝缘膜设置在所述中间层与所述第一模制构件之间。

13.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：

第一接合线，将所述封装基底连接到所述中间层；以及

第二接合线，将所述中间层的所述片段连接到彼此。

14.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述下部半导体芯片以倒装芯片方式位于所述封装基底上，且接合线将所述下部半导体芯片连接到所述封装基底。

15.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述中间层使用粘合构件贴合到所述下部半导体芯片。