[发明专利]一种多孔硼亲和印迹聚合物及其制备方法和应用在审
申请号: | 202010166300.2 | 申请日: | 2020-03-11 |
公开(公告)号: | CN111410723A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 何沛谚;潘建明;刘金鑫 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | C08F285/00 | 分类号: | C08F285/00;C08F230/06;C08F292/00;C08F220/56;C08F212/08;C08F222/06;C08J9/26;B01J20/26;C02F1/28;C02F101/34 |
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地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 亲和 印迹 聚合物 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种多孔硼亲和印迹聚合物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)合成10%的聚苯乙烯-马来酸酐(HSMA)表面活性剂;
(2)合成雅努斯纳米片(NS-1);
(3)NS-1 皮克林高内相乳液模板制备多孔聚合物(NS-1-HIPEs):
将NS-1、吐温-80加入到蒸馏水中,均匀超声,依次加入丙烯酰胺、N,N-亚甲基双丙烯酰胺和过硫酸铵,搅拌使水相充分分散均匀;在搅拌下缓缓滴加液体石蜡,持续搅拌获得皮克林高内相乳液模板,水浴反应;反应后将产物取出,利用丙酮进行索氏提取,两天后分别用蒸馏水与乙醇对产物洗涤、烘干,得到块状产物NS-1-HIPEs;
(4)制备多孔硼亲和印迹吸附剂(NS-1-MIPs):
以NS-1-HIPEs为基质,在纳米片外表面接枝硼亲和印迹聚合物。
2.根据权利要1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述NS-1、吐温-80、蒸馏水的用量比为150-300mg:5-50μL:1-10mL。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述丙烯酰胺的添加量为0.5-2g。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述N,N-亚甲基双丙烯酰胺的添加量为0.2-0.5g。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述过硫酸铵的添加量为10-30mg。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述液体石蜡的添加量为5-30mL。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,所述水浴反应的条件为:在70℃水浴加热12 h。
8.权利要求1-7任一项所述方法制备的多孔硼亲和印迹聚合物,其特征在于,所述多孔硼亲和印迹聚合物具有大孔的聚合泡沫基质,纳米硼亲和分子印迹聚合物负载在多孔的微米基质表面。
9.权利要求8所述的多孔硼亲和印迹聚合物在富集分离水中邻苯二酚的应用。
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