[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

衬底，具有第一导电型；

阱区，具有第二导电型，设置于所述衬底中；

源极区与漏极区，具有所述第二导电型，所述漏极区位于所述衬底中，所述漏极区位于所述阱区中，其中所述源极区与所述漏极区之间包括多个直线区域以及多个转弯区域；

栅极结构，设置于所述源极区与所述漏极区之间的所述衬底上；

多个第一顶掺杂区，具有所述第一导电型，设置于每一所述多个直线区域中；以及

多个第二顶掺杂区，具有所述第一导电型，设置于每一所述多个转弯区域中且与所述每一转弯区域共形。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述多个第二顶掺杂区的与所述衬底的表面平行的截面的形状包括跑道形、C字型或U字型。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述多个第二顶掺杂区具有实质上相同的宽度，且各个第二顶掺杂区具有实质上单一的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其中所述每一转弯区域包括第一区域、第二区域与第三区域，所述第二区域位于所述第一区域与所述第三区域之间，且所述第三区域比所述第一区域接近所述漏极区，在所述第一区域的所述多个第二顶掺杂区之间的间隙宽度与所述多个第二顶掺杂区的宽度具有第一比例范围，在所述第二区域的所述多个第二顶掺杂区之间的间隙宽度与所述多个第二顶掺杂区的宽度具有第二比例范围，在所述第三区域的所述多个第二顶掺杂区之间的间隙宽度与所述多个第二顶掺杂区的宽度具有第三比例范围，所述第一比例范围与所述第二比例范围不同，且与所述第三比例范围不同。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其中所述第一比例范围为0.8～1.2；所述第二比例范围为1.0～1.4；所述第三比例范围为1.0～2.0。

6.一种半导体元件的制造方法，包括：

在具有第一导电型的衬底中形成阱区，所述阱区具有第二导电型；

在所述阱区中形成具有所述第一导电型的多个顶掺杂区；

在所述衬底上形成隔离结构，其中所述多个顶掺杂区位于所述隔离结构下方；

在所述衬底上形成栅极结构，其中所述栅极结构覆盖部分的所述隔离结构；以及

在所述栅极结构的一侧与所述隔离结构的一侧的所述衬底中分别形成具有所述第二导电型的源极区与漏极区，其中所述源极区与所述栅极结构相邻，所述漏极区与所述隔离结构相邻；

在每一转弯区域中的所述多个顶掺杂区与所述每一转弯区域共形。

7.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其中在所述每一转弯区域中的所述多个顶掺杂区的与所述衬底的表面平行的截面的形状包括跑道形、C字型或U字型。

8.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其中所述多个顶掺杂区具有实质上相同的宽度，且各个顶掺杂区具有实质上单一的宽度。

9.根据权利要求6所述的半导体元件的制造方法，其中所述每一转弯区域包括第一区域、第二区域与第三区域，所述第二区域位于所述第一区域与所述第三区域之间，且所述第三区域比所述第一区域接近所述漏极区，在所述第一区域的所述多个顶掺杂区之间的间隙宽度与所述多个顶掺杂区的宽度具有第一比例范围，在所述第二区域的所述多个顶掺杂区之间的间隙宽度与所述多个顶掺杂区的宽度具有第二比例范围，在所述第三区域的所述多个顶掺杂区之间的间隙宽度与所述多个顶掺杂区的宽度具有第三比例范围，所述第一比例范围与所述第二比例范围不同，且与所述第三比例范围不同。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其中所述第一比例范围为0.8～1.2；所述第二比例范围为1.0～1.4；所述第三比例范围为1.0～2.0。