[发明专利]具有减少的信号采样反冲的图像传感器在审

专利信息
申请号: 202010164190.6 申请日: 2020-03-11
公开(公告)号: CN112040157A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: R·本嘉拉姆 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H04N5/378 分类号: H04N5/378;H04N5/357;H04N5/341
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 张小稳
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 减少 信号 采样 反冲 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包括:

图像像素,所述图像像素能够操作为生成信号;和

读出电路,所述读出电路能够操作为对所述信号进行采样,所述读出电路包括:

放大器电路;

第一源极跟随器级;

第二源极跟随器级;和

电荷存储结构,所述电荷存储结构能够操作为存储经采样的信号,其中所述第一源极跟随器级和所述第二源极跟随器级插置在所述放大器电路和所述电荷存储结构之间。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述放大器电路包括输出端子,并且其中所述输出端子直接耦接到所述第一源极跟随器级并且直接耦接到所述第二源极跟随器级。

3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中所述第一源极跟随器级包括串联连接在第一电源端子和第二电源端子之间的一组晶体管,其中所述第二源极跟随器级包括串联连接在第三电源端子和第四电源端子之间的附加组晶体管,其中所述一组晶体管中的第一晶体管具有耦接到所述放大器电路的输出端子的栅极端子,并且其中所述附加组晶体管中的第二晶体管具有耦接到所述放大器电路的输出端子的栅极端子。

4.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述读出电路包括:

开关,所述开关将所述第一源极跟随器级耦接到所述第二源极跟随器级;

附加开关,所述附加开关将所述第二源极跟随器级耦接到所述电荷存储结构;和

偏置电路,所述偏置电路能够操作为通过所述附加开关将偏置电压提供给所述电荷存储结构。

5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述放大器电路包括耦接到与所述图像像素相连的列线的输入端子和耦接到所述第一源极跟随器级中的第一晶体管的栅极端子的输出端子,其中所述第一源极跟随器级包括与所述第一晶体管串联耦接的第二晶体管和第三晶体管,其中所述第二晶体管和所述第三晶体管的共源极-漏极端子耦接到所述放大器电路的输入端子,其中所述第二源极跟随器级包括串联耦接的第四晶体管和第五晶体管,并且其中所述第四晶体管和所述第五晶体管的共源极-漏极端子经由开关耦接到所述第二晶体管和所述第三晶体管的所述共源极-漏极端子。

6.一种使用列线操作耦接到图像传感器像素的读出电路的方法,所述方法包括:

利用所述读出电路中的放大器电路,使用所述列线接收来自所述图像传感器像素的信号;

利用耦接到所述放大器电路的源极跟随器级,将与所述信号相关联的中间采样电压提供给采样电压节点;以及

利用插置在所述源极跟随器级和所述放大器电路之间的附加源极跟随器级,在提供所述中间采样电压之后,将与所述信号相关联的最终采样电压提供给所述采样电压节点。

7.根据权利要求6所述的方法,还包括:

激活插置在所述源极跟随器级和所述采样电压节点之间的开关;

在激活了所述开关时,使偏置电路能够将重置电压提供给所述采样电压节点;

在激活了所述开关时,通过使针对所述源极跟随器级中的至少一个晶体管的至少一个控制信号生效来激活所述源极跟随器级;以及

在激活了所述开关时,激活插置在所述附加源极跟随器级和所述源极跟随器级之间的附加开关。

8.一种成像系统,包括:

处理电路;

图像传感器像素阵列;和

列读出电路,所述列读出电路经由至少一个列线耦接到所述图像传感器像素阵列,所述列读出电路包括:

电荷存储结构,所述电荷存储结构能够操作为存储从所述列线所采样的信号;

偏置电路,所述偏置电路能够操作为将偏置电压提供给所述电荷存储结构;

一组晶体管,所述一组晶体管串联耦接并且能够操作为将粗采样电压提供给所述电荷存储结构;和

附加组晶体管,所述附加组晶体管串联耦接并且能够操作为将最终采样电压提供给所述电荷存储结构。

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