[发明专利]一种微发光二极管显示器及其制作方法在审
| 申请号: | 202010163561.9 | 申请日: | 2020-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN113380847A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
| 发明(设计)人: | 安金鑫;林子平;李刘中;肖守均;张雪 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
| 地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 发光二极管 显示器 及其 制作方法 | ||
本发明涉及发光二极管技术领域,具体涉及一种微发光二极管显示器及其制作方法,其包括:显示背板,显示背板上设有三个以上相互分离的限位组件,每两个相邻的限位组件组成了用于对二极管芯片进行限位的安装位,安装位与二极管芯片的侧壁相配合,每个安装位的底部均设有一组金属焊盘组件,金属焊盘组件固定设置于显示背板上,金属焊盘组件上键合有金属触点,金属触点与二极管芯片的下端相接,二极管芯片安装于安装位中,且所有二极管芯片和限位组件的上方覆盖有封装结构和表面微处理层。本发明设有限位组件,故其能有效地对微发光二极管芯片在显示背板上的位置进行限定,有效地提升了键合效果;且简化制作步骤,使得产品容易实现量产。
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域,具体涉及一种微发光二极管显示器以及一种微发光二极管显示器的制作方法。
背景技术
微型发光二极管(Mi cro LED),即发光二极管微缩化和矩阵化技术,其具有良好的稳定性,寿命,以及运行温度上的优势,同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,其具有极大的应用前景。
由微型发光二极管制作成显示屏是显示设备未来的主流发展方向;在现有的微型发光二极管显示器的制造过程中,微型发光二极管芯片需要先在生长基底上生成;然后再通过巨量转移的方式转移到显示背板上并进行键合固定。但在现有技术中,其在巨量转移之后,微型发光二极管芯片仅仅是被放置于显示背板上,其容易因为外界振动等原因导致微型发光二极管芯片在显示背板上的位置发生偏移,从而导致键合效果不佳,微型发光二极管芯片与显示背板之间的接触不良,进而将影响到显示器的显示效果;且其在生产微型发光二极管显示器时,需要防止外界的干扰,故其制作步骤较为复杂,且不适合于产品的快速生产。
发明内容
为克服上述缺陷,本发明的目的即在于提供一种便于保持微型发光二极管芯片在显示背板上的位置的微发光二极管显示器以及其制作方法。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
本发明是一种微发光二极管显示器,包括:
显示背板,所述显示背板上设有三个以上相互分离的限位组件,每两个相邻的所述限位组件组成了用于对二极管芯片进行限位的安装位,所述安装位与所述二极管芯片的侧壁相配合,每个所述安装位的底部均设有一组金属焊盘组件,所述金属焊盘组件固定设置于显示背板上,所述金属焊盘组件上键合有金属触点,所述金属触点与二极管芯片的下端相接,所述二极管芯片安装于所述安装位中,且所有二极管芯片和限位组件的上方覆盖有封装结构和表面微处理层。
在本发明中,所述限位组件的最小高度不低于所述金属焊盘组件和金属触点的高度之和。
在本发明中,所述限位组件为遮光光阻。
在本发明中,所述金属焊盘组件由两个金属焊盘组成,其分别为正极焊盘和负极焊盘。
在本发明中,所述二极管芯片的上端设有电极,所述电极与封装结构相连接。
在本发明中,所述封装结构由四层封装层构成,其由下至上依次是第一封装层、第二封装层、第三封装层和第四封装层,且第一封装层的折射率大于第二封装层的折射率、第二封装层的折射率大于第三封装层的折射率。
在本发明中,所述表面微处理层设置于所述第三封装层与第四封装层之间。
在本发明中,所述表面微处理层设置于所述第四封装层之上。
本发明是一种微发光二极管显示器的制作方法,其包括:
提供一显示背板,并在所述显示背板上设置两个以上的金属焊盘组件;
在所述金属焊盘组件的两侧预定位置设置上预定高度的限位组件,使两个相邻的所述限位组件组成了用于对二极管芯片进行限位的安装位;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





