[发明专利]互锁驱动电路有效
| 申请号: | 202010162670.9 | 申请日: | 2020-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN111277123B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
| 发明(设计)人: | 伍玉行;林浩贤;陈国明;杨帆;龙首江;宋政璋 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/092 | 分类号: | H02M1/092 |
| 代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 廉振保 |
| 地址: | 519070 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 互锁 驱动 电路 | ||
1.一种互锁驱动电路,其特征在于,包括:
主控芯片;
第一IGBT驱动芯片,与所述主控芯片相连,用于接收并响应所述主控芯片的驱动信号;
第二IGBT驱动芯片,与所述主控芯片相连,用于接收并响应所述主控芯片的驱动信号;
其中,所述第一IGBT驱动芯片的驱动信号作为所述第二IGBT驱动芯片的接地信号,所述第二IGBT驱动芯片的驱动信号作为所述第一IGBT驱动芯片的接地信号,所述第一IGBT驱动芯片和所述第二IGBT驱动芯片为光耦型驱动芯片;
还包括:
负压门极电路,与所述第一IGBT驱动芯片相连,用于减少所述第一IGBT驱动芯片产生的寄生米勒电容,所述负压门极电路包括:第一电阻、稳压二极管、第二电阻和第一电容,其中:所述第一电阻,第一端与输入电压相连,第二端与所述第一电容的第一端、所述第二电阻的第一端和所述稳压二极管的第一端相连;所述稳压二极管的第二端接地;所述第一电容的第二端接地;所述第二电阻的第二端与所述第一IGBT驱动芯片的门极相连。
2.根据权利要求1所述的互锁驱动电路,其特征在于,还包括:
消隐电路,与所述负压门极电路相连,用于将所述第一IGBT驱动芯片的门极驱动输出的附加消隐电容器充电电流分量添加到所述门极驱动的内部电流源中。
3.根据权利要求2所述的互锁驱动电路,其特征在于,所述消隐电路为第三电阻。
4.根据权利要求1所述的互锁驱动电路,其特征在于,还包括:
DESAT电路,与所述第一IGBT驱动芯片相连,用于进行过流保护。
5.根据权利要求4所述的互锁驱动电路,其特征在于,所述DESAT电路包括:第四电阻、第一二极管和第二电容,其中:
所述第二电容的第一端与所述第一IGBT驱动芯片的发射极相连,第二端与所述第一IGBT驱动芯片的DESAT管脚相连;
所述第四电阻的第一端连接至所述第一IGBT驱动芯片的DESAT管脚与所述第二电容之间;
所述第四电阻的第二端连接所述第一二极管的阳极,所述第一二极管的阴极连接所述第一IGBT驱动芯片的发射极。
6.根据权利要求1所述的互锁驱动电路,其特征在于,还包括:
外部缓冲电路,与所述第一IGBT驱动芯片相连,用于消除感性负载。
7.根据权利要求1所述的互锁驱动电路,其特征在于,所述第一IGBT驱动芯片为ACPL-33J驱动芯片。
8.根据权利要求7所述的互锁驱动电路,其特征在于,所述主控芯片通过第一限流电阻与所述第一IGBT驱动芯片的两个ANODE管脚相连,所述主控芯片通过第二限流电阻与所述第二IGBT驱动芯片的ANODE管脚相连。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





